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$5000vishay SI7461DP-T1-E3
Featuring a 60-volt voltage rating and an 8
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI7461DP-T1-E3
Fiche de données: SI7461DP-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8
Statut RoHS:
État des stocks: 9 987 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI7461DP-T1-E3 Description générale
The SI7461DP-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET power transistor from Vishay Siliconix. This transistor features a low on-resistance of 29 mΩ at a VGS of 10V, making it suitable for high efficiency power management applications. It has a continuous drain current rating of 40A and a maximum operating temperature of 175°C, ensuring reliable operation in a variety of conditions.The SI7461DP-T1-E3 is housed in a PowerPAK 1212-8 package, which provides high power density and efficient heat dissipation. This package also offers low parasitic inductance, allowing for fast switching speeds and reduced power losses. The MOSFET is designed for use in synchronous buck converters, motor control, battery management systems, and other power electronics applications.This power transistor is RoHS-compliant and halogen-free, making it environmentally friendly and suitable for use in various industries. Its compact size and high performance characteristics make it a popular choice for designers looking to optimize power efficiency in their applications.
Caractéristiques
Application
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 14.4 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 14.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 121 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 5.4 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 90 ns |
| Forward Transconductance - Min | 31 S | Height | 1.04 mm |
| Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 20 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 205 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7461DP-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Emballage
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