Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

SSM3J338R,LF 48HRS

J338R,LF,'12V 6A 17.6mΩ@8V,6A 1W 1V@1mA P Channel SOT-23F MOSFETs ROHS" without quotation marks:

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Toshiba

Pièce Fabricant #: SSM3J338R,LF

Fiche de données: SSM3J338R,LF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-23F-3

Statut RoHS:

État des stocks: 8 486 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
5 $0,118 $0,590
50 $0,095 $4,750
150 $0,084 $12,600
500 $0,075 $37,500
3000 $0,068 $204,000
6000 $0,064 $384,000

En stock: 8 486 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SSM3J338R,LF ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SSM3J338R,LF Description générale

The SSM3J338R,LF is a highly efficient dual N-channel depletion mode MOSFET designed for low voltage applications. With a low on-resistance of 1.6 ohms at a gate-source voltage of -10V, it offers excellent performance in portable electronics where compact size and high efficiency are essential. Its maximum drain-source voltage of -20V and continuous drain current of -1A make it suitable for a wide range of low power applications, making it a versatile choice for designers

Caractéristiques

  • Efficient heat dissipation
  • High-speed switching: 100kHz
  • Robust against electromagnetic interference (EMI)
  • Designed for high-reliability applications

Application

  • Wireless Earbuds
  • Bluetooth Speakers
  • Smart Home Devices

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23F-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
Id - Continuous Drain Current 6 A Rds On - Drain-Source Resistance 45.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 19.5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1 W
Channel Mode Enhancement Tradename U-MOSVII
Series SSM3J338 Brand Toshiba
Configuration Single Forward Transconductance - Min 17 S
Height 0.9 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 383 ns Typical Turn-On Delay Time 65 ns
Width 1.8 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SSM3J338R,LF is a N-channel MOSFET designed for battery protection applications. It has a low on-state resistance and high-speed switching capabilities, making it ideal for use in portable electronic devices. Its small footprint and low power consumption make it a popular choice for designers looking to maximize battery life in their products.
  • Equivalent

    The equivalent products of SSM3J338R,LF chip are STMicroelectronics STF40N60M2, Infineon OptiMOS BSC309N10NS3G, Nexperia PSMN3R4-30YLC, ON Semiconductor NTMFS4935NT1G, and Vishay Siliconix Si7686DP.
  • Features

    SSM3J338R,LF is a small surface-mount MOSFET with a low on-resistance of 150mΩ. It is suitable for use in DC-DC converters, motor control, and load switches due to its low power consumption. The MOSFET has a compact size and is Rohs compliant, making it environmentally friendly.
  • Pinout

    SSM3J338R,LF is a dual N-channel MOSFET transistor with 8 pins. It is commonly used in power management circuits for mobile devices and other electronic applications. Its main function is to control the flow of electrical current between two terminals, acting as a switch or amplifier.
  • Manufacturer

    The manufacturer of SSM3J338R,LF is Toshiba Semiconductor. Toshiba Semiconductor is a global semiconductor manufacturer that specializes in producing a wide range of electronic components, including semiconductors, memory chips, and display devices. They provide high-quality and reliable products for various industries, such as automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    SSM3J338R,LF is typically used in portable electronic devices, power management systems, and battery charging applications. It is commonly found in smartphones, tablets, laptops, and other handheld devices where low on-resistance and high efficiency are required for efficient power delivery and management.
  • Package

    The SSM3J338R,LF chip comes in a SC-88A package type, with a form of surface mount and a size of 2.1mm x 2.1mm.
SSM3J328R,LF

SSM3J328R,LF

TOSHIBA CORP

SSM3K329R,LF

SSM3K329R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SST404

SST404

VISHAY SILICONIX

SST4117

SST4117

CALOGIC LLC

SSM6N44FE,LM

SSM6N44FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...