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Commandes de plus de
$5000ST STP25NM60ND
Robust and compact Trans MOSFET solution for high-reliability design
Marques: Stmicroelectronics
Pièce Fabricant #: STP25NM60ND
Fiche de données: STP25NM60ND Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 3 661 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STP25NM60ND Description générale
The STP25NM60ND Power MOSFET is a reliable and efficient option for high power applications in industrial and automotive settings. With a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 25A, this N-channel MOSFET is well-suited for demanding tasks. Its low on-resistance of 0.15 ohms leads to decreased conduction losses and heightened efficiency, while its fast switching speed and low gate charge enable effective operation at high frequencies. Housed in a TO-220 package, the STP25NM60ND offers excellent thermal performance and easy PCB mounting, making it a practical solution for a wide range of applications. Furthermore, its high avalanche capability ensures reliable performance in harsh environments and during transient conditions, providing reassurance for users in demanding scenarios
Caractéristiques
- Advanced logic controller
- Ergonomic design software
- High-performance computing kit
- Sustainable energy solution suite
- Intelligent data analytics tool
- Cloud-based virtual assistant
Application
- SMPS Components
- Power Management
- Motor Drive Solutions
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 160 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | STB25NM60N |
| Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
| Fall Time | 40 ns | Height | 9.15 mm |
| Length | 10.4 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 30 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 60 ns |
| Width | 4.6 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Pièces équivalentes
Pour le STP25NM60ND composant, vous pouvez envisager ces pièces de rechange et alternatives:
Numéro d'article
Marques
Emballer
Description
Numéro d'article : IRF840PBF
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : IRF3710ZPBF
Marques :
Emballer : TO-220AB
Description : N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:59A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):18mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V
Numéro d'article : STB55NF06LT4
Marques :
Emballer : D2PAK
Description : N-CHANNEL 60V - 0.014 Ohm - 55A T0-220/TO-22OFP/D2PAK/I2PAK STRIPFET II POWER MOSFET,MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
Numéro d'article : FDPF33N25T
Marques :
Emballer : TO-220
Description : Trans MOSFET N-CH 250V 33A Continuous Drain Current Id:20A, Drain Source Voltage Vds:250V
Numéro d'article : 2SK2545
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : AOTF25N60L
Marques :
Emballer :
Description :
Numéro d'article : FCP25N60N
Marques :
Emballer : TO-220
Description : MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Points de pièce
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STP25NM60ND is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and reliable switching applications. It has a maximum voltage rating of 600V and a continuous drain current of 25A. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and lighting applications.
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Equivalent
The equivalent products of the STP25NM60ND chip are the Mosfet N-Channel 600V 25A TO-220/TO-220FP PowerMESH™ II, STB40NM60ND, and the Htx208e. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the STP25NM60ND in different applications. -
Features
1. 600V power MOSFET 2. N-channel type 3. Suitable for high power applications 4. Low input capacitance 5. Low on-state resistance 6. Avalanche energy rated 7. Fast switching capability 8. TO-220 package 9. RoHS compliant -
Pinout
The STP25NM60ND is a 25A, 600V N-channel Power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions are to control the flow of current through the MOSFET by applying voltage to the Gate pin. -
Manufacturer
STMicroelectronics is the manufacturer of the STP25NM60ND. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of electronic components and systems, including semiconductors, discrete devices, and integrated circuits for various applications in automotive, industrial, communication, and consumer markets. -
Application Field
The STP25NM60ND is commonly used in various applications such as high-power SMPS, PFC, welding, induction heating, and motor control systems. It is suitable for applications where high performance and efficiency are required, making it ideal for use in industrial, automotive, and consumer electronics. -
Package
The STP25NM60ND chip is available in a TO-220 package type, a through-hole form, and has a size of 10.3mm x 4.6mm x 3.85mm.
Fiche de données PDF
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