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Commandes de plus de
$5000STD18N55M5
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Marques: STMICROELECTRONICS
Pièce Fabricant #: STD18N55M5
Fiche de données: STD18N55M5 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 8 615 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STD18N55M5 Description générale
With the fusion of MDmesh M5 vertical processing and PowerMESH horizontal design, the STD18N55M5 stands out as a premier choice for power applications requiring superior efficiency. Its ultra-low on-resistance sets it apart from competitors, ensuring optimal performance in demanding environments. Whether used in power supplies, motor control units, or automotive systems, this Power MOSFET excels in delivering power with precision and reliability
Caractéristiques
- High-temperature operation up to 150°C
- Low thermal noise
- Excellent stability
Application
- Power Management
- Industrial
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | STD18N55M5 | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
| Part Package Code | TO-252 | Package Description | DPAK-3 |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 550 V | Drain Current-Max (ID) | 14 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.21 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-252 | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 90 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 56 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STD18N55M5 chip is a power MOSFET designed for efficient switching applications. It has a voltage rating of 55V and a continuous drain current of 18A. This chip offers low conduction and switching losses, making it suitable for various power conversion applications. It is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications for its reliable performance and high power efficiency.
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Equivalent
Some equivalent products of the STD18N55M5 chip include the FDP18N50, IRFP260N, and STP18N50M5 power MOSFETs. -
Features
The STD18N55M5 is a N-channel Power MOSFET with a low on-resistance, making it suitable for various power applications. It offers high power dissipation, fast switching speeds, and low gate charge. Additionally, it has integrated protection features like over-temperature and over-current protection, ensuring safe and reliable operation in different scenarios. -
Pinout
The STD18N55M5 is a power MOSFET transistor with a TO-252 package (DPAK) and a pin count of 3. The pins and their functions are: Pin 1 = Gate (G), Pin 2 = Drain (D), and Pin 3 = Source (S). -
Manufacturer
The manufacturer of the STD18N55M5 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor manufacturing company that designs and produces a wide range of electronic components, including microcontrollers, power transistors, and sensors. -
Application Field
The STD18N55M5 is a power MOSFET transistor designed for use in high voltage applications. It can be commonly used in various fields such as power supplies, motor control circuits, lighting systems, and automotive applications. -
Package
The STD18N55M5 chip is available in a PowerFLAT package type, featuring a compact form factor and measuring approximately 6.1 by 2.6 mm in size.
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