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STGB10NC60KDT4 48HRS

IGBT Transistors N-channel MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: STMicroelectronics

Pièce Fabricant #: STGB10NC60KDT4

Fiche de données: STGB10NC60KDT4 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: D2PAK-3

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

type de produit: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,910 $0,910
10 $0,776 $7,760
30 $0,703 $21,090
100 $0,619 $61,900
500 $0,583 $291,500
1000 $0,565 $565,000

En stock: 9 458 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour STGB10NC60KDT4 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

STGB10NC60KDT4 Description générale

The STGB10NC60KDT4 is a standout IGBT that delivers unmatched performance and efficiency. Thanks to its innovative PowerMESH technology, this device offers a unique combination of speed and low on-state behavior, making it perfect for a wide range of applications. Whether you are working on resonant designs or soft-switching projects, the STGB10NC60KDT4 is sure to exceed your expectations with its superior performance and reliability. Say goodbye to compromises and hello to success with this top-tier IGBT

Caractéristiques

  • Fast switching frequency
  • Low input capacitance
  • High reliability performance

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: STMicroelectronics Product Category: IGBT Transistors
RoHS: Details Technology: Si
Package / Case: D2PAK-3 Mounting Style: SMD/SMT
Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 20 A Pd - Power Dissipation: 65 W
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: STGB10NC60KDT4 Packaging: MouseReel
Brand: STMicroelectronics Continuous Collector Current Ic Max: 20 A
Height: 4.6 mm Length: 10.4 mm
Product Type: IGBT Transistors Factory Pack Quantity: 1000
Subcategory: IGBTs Width: 9.35 mm
Unit Weight: 0.079014 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The STGB10NC60KDT4 is a high-voltage, fast-switching N-channel IGBT power semiconductor chip designed for use in inverter and power supply applications. It features a low voltage drop and low switching losses, making it suitable for high efficiency and high power applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of STGB10NC60KDT4 chip are: STGB10NC60KD, STGP10NC60KD, STGP10NC60KD, STGB10NC60KT4, STGP10NC60KT4.
  • Features

    STGB10NC60KDT4 is a 10A, 600V IGBT with low VCE (sat) voltage drop, high switching speed, and low switching losses. It has a compact TO-263-3 package with enhanced thermal performance, making it suitable for motor control, power supply, and renewable energy applications.
  • Pinout

    STGB10NC60KDT4 is a N-channel IGBT with a TO-263-3 package. It has 3 pins: gate, emitter, and collector. The gate pin controls the flow of current between the emitter and collector, making it suitable for high power switching applications.
  • Manufacturer

    STMicroelectronics is the manufacturer of the STGB10NC60KDT4. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of semiconductor integrated circuits and discrete devices. STMicroelectronics produces a variety of products for various applications, including automotive, industrial, computer peripherals, telecommunications, and consumer products.
  • Application Field

    STGB10NC60KDT4 is a high-speed switching IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) specifically designed for motor control, inverter, and power supply applications. It is commonly used in industrial motor drives, UPS systems, welding equipment, and other high-power applications requiring efficient power switching and control.
  • Package

    The STGB10NC60KDT4 is a power MOSFET transistor in a D²PAK (TO-263) package. It has a form factor of a through-hole package with dimensions of 10.3mm x 8.6mm x 4.8mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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