Commandes de plus de
$5000STGF19NC60KD
High-Power IGBT Module for Efficient Power Conversi
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Marques: STMicroelectronics
Pièce Fabricant #: STGF19NC60KD
Fiche de données: STGF19NC60KD Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220FP-3
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STGF19NC60KD Description générale
The STGF19NC60KD product boasts exceptional speed and efficiency, thanks to its cutting-edge PowerMESH™ technology. By harnessing the power of this advanced technology, these IGBTs deliver unparalleled performance in terms of switching speed and low on-state characteristics. Users can rely on these devices to achieve optimal trade-offs between high-speed operation and minimal power loss, making them a standout choice for a wide range of applications
Caractéristiques
- Rapid switching times
- Low electromagnetic interference
- Fully avalanche-controlled
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | IGBT Transistors |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Package / Case: | TO-220FP-3 | Mounting Style: | Through Hole |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C: | 35 A | Pd - Power Dissipation: | 32 W |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Series: | STGF19NC60KD | Packaging: | Tube |
Brand: | STMicroelectronics | Continuous Collector Current Ic Max: | 16 A |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA | Height: | 9.3 mm |
Length: | 10.4 mm | Product Type: | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | IGBTs |
Width: | 4.6 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STGF19NC60KD is a high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for high-power applications such as motor control and power supplies. It features a voltage rating of 600V, a current rating of 19A, and a low switching loss for improved efficiency in power electronics systems.
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Equivalent
Equivalent products to the STGF19NC60KD chip include the IRG4PH40UD and STGW30NC60KD chips, which are insulated-gate bipolar transistors with similar specifications and performance capabilities. These chips are commonly used in power electronic applications such as motor control and power supplies. -
Features
1. Voltage rating of 600V 2. Current rating of 19A 3. Fast switching speed 4. Low on-state voltage drop 5. High surge capability 6. RoHS compliant 7. Suitable for applications like motor control, UPS, and power supplies. -
Pinout
STGF19NC60KD is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a function of switching high-power loads. The pin count includes Gate, Collector, and Emitter pins. It is designed for high-voltage, high-current applications in power electronics. -
Manufacturer
STGF19NC60KD is manufactured by STMicroelectronics. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of semiconductor products, including discrete and integrated circuits. STMicroelectronics serves a variety of industries, including automotive, industrial, communication, consumer electronics, and more. -
Application Field
STGF19NC60KD is a high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) suitable for various applications including power supplies, motor drives, induction heating, and renewable energy systems. Its high voltage and current ratings, low switching losses, and high efficiency make it an ideal choice for demanding power electronics applications. -
Package
The STGF19NC60KD chip is a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) packaged in a TO-220 form factor measuring 10mm x 4.5mm x 9mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits