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ST STH12N120K5-2
Semiconductor component - N-channel trans MOSFET with 1200V and 12A current, in H2PAK package, supplied in tape and reel
Marques: Stmicroelectronics
Pièce Fabricant #: STH12N120K5-2
Fiche de données: STH12N120K5-2 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: H2PAK-2
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2368 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureSTH12N120K5-2 Description générale
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, H2PAK-2; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; On Resistance Rds(on): 0.62ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Po
Caractéristiques
- Worldwide best FOM (figure of merit)
- Ultra-low gate charge
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| ECCN US | EAR99 | ECCN EU | NEC |
| Packing Type | Tape And Reel | RoHs compliant | Ecopack1 (*) |
| Grade | Industrial |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The STH12N120K5-2 chip is a power MOSFET designed for high-voltage applications. It belongs to the MDmesh K5 series and features a breakdown voltage of 1200V. This chip offers low on-resistance and efficient switching characteristics, making it suitable for various power conversion systems. It is commonly used in applications such as motor control, solar inverters, and industrial power supplies.
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Features
The STH12N120K5-2 is a power MOSFET transistor that has a maximum drain current of 27 A, a breakdown voltage of 1200 V, and a low on-resistance of 0.75 ohms. It is designed for use in industrial applications, such as motor control and power supplies, offering efficiency and reliability. -
Pinout
The STH12N120K5-2 is a power MOSFET with a pin count of 3. The three pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of each pin is as follows: - Gate (G): Controls the switching of the MOSFET - Drain (D): Connects to the positive supply voltage - Source (S): Connects to the ground or negative supply voltage. -
Manufacturer
The manufacturer of the STH12N120K5-2 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor and electronics company headquartered in Switzerland. STMicroelectronics designs, manufactures, and markets a wide range of products including microcontrollers, power-management integrated circuits, sensors, and automotive products for various industries worldwide. -
Application Field
The STH12N120K5-2 is a power MOSFET transistor designed for high voltage and high-current applications. It is commonly used in industrial applications such as motor control, power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. -
Package
The STH12N120K5-2 chip has a package type of TO-247, a form of tube, and a size of 15.7mm x 4.7mm x 20.4mm.
Fiche de données PDF
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