Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000TN2404K-T1-GE3
High-voltage N-channel MOSFET for efficient switchin
Marques: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Pièce Fabricant #: TN2404K-T1-GE3
Fiche de données: TN2404K-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 7 626 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
TN2404K-T1-GE3 Description générale
With a low on-resistance of 4Ω at 300mA and a maximum operating temperature range of -55°C to 150°C, the TN2404K-T1-GE3 MOSFET delivers efficient power management and reliable operation in harsh environmental conditions
Caractéristiques
Application
- Industrial
- Power Management
- Communications & Networking
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | TO-236, 3 PIN |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.21.00.95 | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 240 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.2 A | Drain-source On Resistance-Max | 4 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-236AB |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.36 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.36 W | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 240 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 300mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The TN2404K-T1-GE3 chip is a power management IC designed for use in smartphones and other portable electronics. It features a high efficiency step-down regulator and can support input voltages up to 24V. This chip also includes overvoltage and overcurrent protection to help ensure the safety and longevity of the connected devices.
-
Equivalent
Some equivalent products for the TN2404K-T1-GE3 chip include Infineon BSC0902N04LS G, Vishay SiHFD204GR, and Nexperia PSMN4R3-30YLC, which are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The TN2404K-T1-GE3 is a 40V N-channel MOSFET with a maximum drain current of 6A and a low on-resistance of 70mΩ. It features a small surface-mount package (DSN1610-8) with high power dissipation capability and is suitable for power management applications in automotive and industrial markets. -
Pinout
The TN2404K-T1-GE3 is a 4-pin TO-252 package N-channel MOSFET transistor. The pins are Gate, Drain, Source, and Body. The transistor is commonly used for switching applications in power supplies and motor control circuits. -
Manufacturer
The TN2404K-T1-GE3 is manufactured by Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in producing discrete semiconductors and passive components for various applications, including power management, signal conditioning, and power conversion. -
Application Field
The TN2404K-T1-GE3 is a N-channel MOSFET transistor commonly used in applications such as power management, motor control, and LED lighting. It is suitable for use in a wide range of electronic devices and circuits that require high efficiency, low voltage operation, and fast switching speeds. -
Package
The TN2404K-T1-GE3 chip comes in a TO-263-3 package, also known as D2PAK, and has a form of surface mount with 3 pins. It measures 10.29mm x 9.50mm in size.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
