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Microchip TP0606N3-G

P-Channel 60 V 320mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Microchip

Pièce Fabricant #: TP0606N3-G

Fiche de données: TP0606N3-G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-92-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 7 345 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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TP0606N3-G Description générale

The TP0606N3-G transistor is a superior product that leverages a vertical DMOS structure and silicon-gate manufacturing process to deliver exceptional performance. By combining the power handling capabilities of bipolar transistors with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices, this transistor offers a unique blend of capabilities. Its low threshold voltage, high breakdown voltage, and low input capacitance make it well-suited for a wide range of switching and amplifying applications. With fast switching speeds and thermal stability, users can trust the TP0606N3-G transistor to deliver consistent results in challenging environments. Its advanced design features ensure reliable operation and optimal performance for a variety of electronic tasks

Caractéristiques

    • High sensitivity and selectivity
    • Limited supply noise sensitivity
    • Wide bandwidth performance

    Application

    SWITCHING

    Caractéristiques

    Paramètre Valeur Paramètre Valeur
    Manufacturer Microchip Product Category MOSFET
    RoHS Details Technology Si
    Mounting Style Through Hole Package / Case TO-92-3
    Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V Id - Continuous Drain Current 320 mA
    Rds On - Drain-Source Resistance 3.5 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge -
    Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
    Pd - Power Dissipation 1 W Channel Mode Enhancement
    Brand Microchip Technology Configuration Single
    Fall Time 15 ns Forward Transconductance - Min 300 mS
    Height 5.33 mm Length 5.21 mm
    Product Type MOSFET Rise Time 15 ns
    Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 P-Channel Type FET
    Typical Turn-Off Delay Time 20 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns
    Width 4.19 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
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