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$5000TP2104K1-G
P-Channel 40 V 160mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Marques: MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Pièce Fabricant #: TP2104K1-G
Fiche de données: TP2104K1-G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 994 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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TP2104K1-G Description générale
Leveraging a vertical DMOS structure and silicon-gate manufacturing process, the TP2104K1-G transistor offers superior power handling capabilities and high input impedance. This enhancement-mode device boasts a low threshold voltage and positive temperature coefficient, making it ideal for various switching and amplifying applications. With its high breakdown voltage and fast switching speeds, this transistor excels in applications requiring low input capacitance and reliable performance. Free from thermal runaway and secondary breakdown, this transistor is a reliable and efficient solution for modern electronic systems
Caractéristiques
- Enhanced electromagnetic compatibility
- Accurate timing and frequency locking
- High-speed analog-to-digital conversion
- ► Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS
- ► Solid state relays
- ► Analog switches
- ► Power management
- ► Telecom switches
Application
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | TP2104K1-G | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY INC |
| Package Description | 2.90 X 1.30 MM, 1.12 MM HEIGHT, GREEN PACKAGE-3 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time | 5 Weeks | Samacsys Manufacturer | Microchip |
| Additional Feature | LOW THRESHOLD | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 40 V | Drain Current-Max (ID) | 0.16 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 6 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 10 pF | JEDEC-95 Code | TO-236AB |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.36 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.36 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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 |
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Emballage
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