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$5000UF3C120080K4S
1200V-80mΩ Silicon Carbide Field-Effect Transistor (SiC FET)
Marques: Qorvo
Pièce Fabricant #: UF3C120080K4S
Fiche de données: UF3C120080K4S Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-4
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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UF3C120080K4S Description générale
Meet the UF3C120080K4S power module – a game-changing solution for high-performance power electronics applications. With its silicon carbide technology and innovative design, this module delivers unmatched efficiency, power density, and reliability. The dual module configuration and bridgeless totem pole topology enable high performance in a compact package, making it perfect for industrial motor drives, renewable energy systems, and electric vehicle charging. Boasting a 1200V voltage rating, 80A current rating, and maximum junction temperature of 175°C, this module is designed to excel in demanding environments. The integration of SiC MOSFETs and Schottky diodes ensures fast switching speeds, low on-state resistance, and high temperature operation capabilities, making the UF3C120080K4S a top choice for power electronics engineers worldwide
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Qorvo | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | SiC |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-4 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V | Qg - Gate Charge: | 51 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 254.2 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Tradename: | SiC FET |
| Series: | UF3C | Packaging: | Tube |
| Brand: | Qorvo | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 10 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 13 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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