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ON FDPF045N10A

N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: FDPF045N10A

Fiche de données: FDPF045N10A Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-220

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 3802 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDPF045N10A Description générale

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

fdpf045n10a

Caractéristiques

  • RDS(on) = 3.8mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 100A
  • Fast Switching Speed
  • Low Gate Charge, QG = 57nC ( Typ.)
  • High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
  • High Power and Current Handling Capability
  • RoHS Compliant
fdpf045n10a

Application

  • AC-DC Merchant Power Supply
  • AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
  • AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
  • Other Data Processing
  • Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
  • Motor Drives
  • Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverters

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 67 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 74 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 43 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: PowerTrench Series: FDPF045N10A
Packaging: Tube Brand: onsemi / Fairchild
Configuration: Single Height: 16.07 mm
Length: 10.36 mm Product Type: MOSFET
Factory Pack Quantity: 50 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Width: 4.9 mm
Unit Weight: 0.068784 oz feature-category Power MOSFET
feature-material feature-process-technology TMOS
feature-configuration Single feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-drain-source-voltage-v 100 feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 4 feature-maximum-continuous-drain-current-a 67
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 4.5@10V feature-typical-gate-charge-vgs-nc 57@10V
feature-typical-gate-charge-10v-nc 57 feature-typical-input-capacitance-vds-pf 3961@50V
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 43000
feature-packaging Tube feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package TO-220FP
feature-standard-package-name1 TO feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDPF045N10A chip is a power MOSFET transistor that is designed for applications requiring a high-speed switching and low on-resistance. It has a drain-source voltage rating of 100V and a continuous drain current of 80A. The chip is built using advanced technology, providing efficient power management and reliable performance in various electronic devices and systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FDPF045N10A chip are FDPF045N10, FDPF045N10B, FDPF045N10C, FDPF045N10D, FDPF045N10E, and FDPF045N10F.
  • Features

    The FDPF045N10A is a power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 40A, and a power dissipation of 150W. It has a low on-resistance of 0.022 ohms and is suitable for various high-power applications due to its high current carrying capability and low power loss characteristics.
  • Pinout

    The FDPF045N10A is a MOSFET transistor with 8 pins. Its function is to control and switch high voltage and high current loads.
  • Manufacturer

    FDPF045N10A is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the development and manufacture of power and discrete semiconductor technologies.
  • Application Field

    The FDPF045N10A is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications, including switch-mode power supplies, motor drive circuits, battery management systems, and audio amplifiers. It is designed to handle high voltage and high current, making it suitable for use in power electronics systems.
  • Package

    The FDPF045N10A chip comes in a TO-220F package type. It has a through-hole form and its size measures approximately 10.16mm x 4.83mm x 9.65mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FDPF045N10A PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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