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Infineon BSC026N08NS5ATMA1
Transistor MOSFET N-channel
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSC026N08NS5ATMA1
Fiche de données: BSC026N08NS5ATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TDSON-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3803 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureBSC026N08NS5ATMA1 Description générale
The BSC026N08NS5ATMA1 is a Power MOSFET transistor produced by Infineon Technologies AG. It is a N-channel enhancement mode device with a drain-source voltage (VDS) of 80V and a continuous drain current (ID) of 100A. The transistor is housed in a TO-252 package and has a low on-resistance of 2.6mΩ, making it suitable for a wide range of high power applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.The BSC026N08NS5ATMA1 features a gate threshold voltage (VGS(th)) of 2V and a gate-source voltage (VGS) of ±20V, improving its compatibility with standard drive circuits. The transistor has a maximum junction temperature of 175°C and a thermal resistance junction-to-ambient of 62°C/W.The BSC026N08NS5ATMA1 is designed for high efficiency and reliability, with a rugged silicon design ensuring robust performance in harsh environments. Infineon's advanced packaging technology also enhances thermal performance, allowing for efficient heat dissipation during operation.
Caractéristiques
- 800 V N-channel power MOSFET
- 8 mΩ max. on-state resistance
- 26 A continuous drain current
- 100% avalanche tested
- Low Qg and Qrr for high efficiency
- Optimized for synchronous rectification
- TO-220 package with low thermal resistance
Application
- Automotive
- Industrial
- Power management systems
- Motor control applications
- Robotics
- Renewable energy systems
- Battery management systems
- Electronic speed controllers
- Uninterruptible power supplies
- Switched-mode power supplies
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | SuperSO8 5x6 | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | V76 | productClassification | ASP |
| productStatusInfo | active and preferred | hfgr | A |
| packageName | PG-TDSON-8 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001154276 |
| fourBlockPackageName | PG-TDSON-8-6 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSC026N08NS5ATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001154276 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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The BSC026N08NS5ATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for various applications. It offers a low on-resistance and high efficiency, making it suitable for power management and control circuitry. With its compact size and excellent thermal performance, this chip provides reliable and efficient operation in a wide range of electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSC026N08NS5ATMA1 chip include the BSC007N06NS5ATMA1, BSC015N04NS5ATMA1, and BSC061N03NS5ATMA1. These chips have similar characteristics and can be used as substitutes for the BSC026N08NS5ATMA1 in various electronic applications. -
Features
The BSC026N08NS5ATMA1 is a MOSFET transistor with a voltage rating of 80V and a current rating of 142A. It has a low on-resistance of 2.6mΩ and a gate charge of 30nC. The transistor is designed for high-power applications, offering efficient switching performance and low power dissipation. -
Pinout
The BSC026N08NS5ATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 8. It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and battery management systems. The specific functions of each pin include gate, source, and drain connections for controlling the flow of current through the device. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC026N08NS5ATMA1. It is a German company specializing in semiconductor solutions, including power management, sensors, and automotive electronics. -
Application Field
The BSC026N08NS5ATMA1 is a power MOSFET and can be used in various applications including power supplies, motor control, and automotive electronics. It is particularly suitable for applications that require high power density, low on-resistance, and high efficiency. -
Package
The BSC026N08NS5ATMA1 chip has a package type known as power-smd. It comes in a 8mm x 8mm format with a thickness of approximately 1.45mm.
Fiche de données PDF
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
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