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Infineon BSC027N10NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP T/R
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC027N10NS5ATMA1
Fiche de données: BSC027N10NS5ATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TSON-8
type de produit: MOSFET
Statut RoHS:
État des stocks: 2070 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureBSC027N10NS5ATMA1 Description générale
N-Channel 100 V 23A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| Package Description | TSON-8-3, 8 PIN | Reach Compliance Code | not_compliant |
| Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 641 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 194 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0027 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 75 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 3 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 214 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 776 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC027N10NS5ATMA1 is a power MOSFET chip designed for high efficiency and reliability in a variety of applications, such as motor control, power supplies, and battery management systems. This chip offers low on-resistance and high current capabilities, making it suitable for high-power electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of BSC027N10NS5ATMA1 chip are Infineon IPP027N10N5 and Infineon IPB027N10N5. These MOSFETs offer similar specifications and performance as the BSC027N10NS5ATMA1 chip. -
Features
BSC027N10NS5ATMA1 is a N-channel 100V MOSFET with a low RDS(on) of 0.027 ohms and a maximum current rating of 100A. It is suitable for high-power applications where efficiency and thermal performance are important. The MOSFET also features a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The BSC027N10NS5ATMA1 is a Power MOSFET with a pin count of 5. It is typically used in power supply applications, motor control circuits, and lighting systems. The functions of the pins are typically gate, drain, source, source, and substrate. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSC027N10NS5ATMA1 is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer and one of the leading companies in the field of power electronics, automotive electronics, and security systems. They offer a wide range of products including power MOSFETs, microcontrollers, and sensor solutions for various applications in sectors such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC027N10NS5ATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as switching power supplies, motor control, and automotive systems. It is also suitable for use in DC-DC converters, battery management systems, and industrial automation equipment where high efficiency and high power handling capabilities are required. -
Package
The BSC027N10NS5ATMA1 chip is a MOSFET transistor with a D2PAK package type, N-channel polarity, and 27A current rating. It comes in a TO-263 form with dimensions of 10.5mm x 6.5mm x 4.6mm.
Fiche de données PDF
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
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