Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Infineon BSC028N06NSTATMA1 48HRS

Transistor MOSFET N-Channel 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: BSC028N06NSTATMA1

Fiche de données: BSC028N06NSTATMA1 Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: PG-TDSON-8

Statut RoHS:

État des stocks: 2588 pièces, nouveau original

type de produit: Autres composants

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $1,424 $1,424
10 $1,216 $12,160
30 $1,099 $32,970
100 $0,970 $97,000
500 $0,913 $456,500
1000 $0,886 $886,000

In Stock:2588 PCS

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BSC028N06NSTATMA1 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

BSC028N06NSTATMA1 Description générale

The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel 60V Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. This MOSFET is part of the OptiMOS™ 5 family and is designed for high-performance power electronics applications.The BSC028N06NSTATMA1 has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current rating of 130A. This makes it suitable for a wide range of power supply, motor control, and automotive applications where high power handling capabilities are required.This MOSFET features an ultra-low ON-state resistance of 2.8 mΩ, which helps to minimize power losses and improve efficiency in applications where high current is being switched.The BSC028N06NSTATMA1 also features a strong gate charge profile, allowing for fast and efficient switching performance. This makes it ideal for applications that require high frequency switching or rapid response times.In addition, the BSC028N06NSTATMA1 is housed in a TO-220 package, which provides excellent thermal performance and reliability. This package is also compatible with standard through-hole PCB mounting techniques, making it easy to integrate into existing designs.

bsc028n06nstatma1

Caractéristiques

  • N-channel MOSFET
  • Optimized for synchronous rectification
  • Low on-resistance
  • High power efficiency
  • Fast switching speed
  • Low gate charge
  • Avalanche-rated
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • Lead (Pb)-free

Application

  • Automotive applications
  • Industrial automation
  • Power management systems
  • Motor control systems
  • Robotics

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo RoHS compliant, tape&reel, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr Y17 productClassification ASP
productStatusInfo active hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP001666498
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-7 rohsCompliant yes
opn BSC028N06NSTATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP001666498

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The BSC028N06NSTATMA1 chip is a N-channel power MOSFET developed by Infineon Technologies. It is designed for low voltage automotive applications, such as powertrain systems and body electronics. The chip offers high efficiency and low on-resistance, making it suitable for high-current applications. It also includes a built-in protective feature to prevent damage from overcurrent and overtemperature conditions.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC028N06NSTATMA1 chip include the BSC027N06NSTATMA1, BSC029N06NSTATMA1, and BSC030N06NSTATMA1 chips, all of which are manufactured by Infineon Technologies.
  • Features

    The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel enhancement mode power MOSFET. It features a drain-source voltage rating of 60 volts and a continuous drain current of 74 amperes. It has a low on-resistance of 2.8 milliohms, making it suitable for high current applications. The MOSFET also offers a robust design and excellent thermal performance.
  • Pinout

    The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET with a TO-252 package. It has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. The Drain pin carries the load current, and the Source pin is connected to the source of the MOSFET's internal transistor.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC028N06NSTATMA1. It is a German semiconductor company specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors.
  • Application Field

    The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET commonly used in various applications such as power supplies, motor controls, automotive systems, and industrial equipment. It is ideally suited for high current applications due to its low on-resistance and high efficiency.
  • Package

    The BSC028N06NSTATMA1 chip is a power MOSFET with a TO-220 package type. It has a through-hole form and a size of TO-220-3-1.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire BSC028N06NSTATMA1 PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...