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Infineon BSC046N10NS3G

Name: BSC046N10NS3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Infineon BSC046N10NS3G N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON

Marques: Infineon Technologies Corporation

Pièce Fabricant #: BSC046N10NS3G

Fiche de données: BSC046N10NS3G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: QFN-8 5X6

type de produit: INFINEON

Statut RoHS:

État des stocks: 3843 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC046N10NS3G Description générale

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8

Caractéristiques

Paramètre	Valeur	Paramètre	Valeur
Source Content uid	BSC046N10NS3G	Rohs Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description	GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8	Pin Count	8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	Infineon	Avalanche Energy Rating (Eas)	350 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	17 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0046 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-N8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Expédition

	Frais d'expédition	Délai de mise en œuvre
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement		Frais de main
	Virement bancaire	facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
	Pay Pal	facturer des frais de service de 4,0 %.
	Carte de crédit	facturez des frais de service de 3,5%.
	Western union	charge US.00 banking fee.
	Paiement de Petit Montant	facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

Étape1 :Produit
Étape2 :Emballage sous vide
Étape3 :Sac antistatique
Étape4 :Emballage individuel
Étape5 :Boîtes d'emballage
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

Points de pièce

The BSC046N10NS3G is a power MOSFET chip from Infineon Technologies. It is designed for various applications and offers a low on-resistance and high power capability. The chip features a low switching and conduction losses, making it efficient in power management systems. With its compact size and high performance, the BSC046N10NS3G chip is suitable for a wide range of power electronics applications.
Equivalent

BSC046N10NS3G chip does not have any direct equivalent products. The chip, produced by Infineon Technologies, is a N-channel power MOSFET designed for applications such as motor control and DC-DC conversion.
Features

The BSC046N10NS3G is a power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 46A. It has a low ON resistance, high power dissipation capability, and is suitable for various applications such as power tools, motor control, and power supplies.
Pinout

The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 2 (Drain and Source) and is commonly used for power management applications.
Manufacturer

The manufacturer of the BSC046N10NS3G is Infineon Technologies AG. Infineon is a global semiconductor company that specializes in manufacturing and designing a wide range of electronic components and systems. It offers products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics, among others.
Application Field

The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas, including power supplies, motor control, automotive systems, and battery management. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for applications that require efficient power switching and high-performance electronic systems.
Package

The BSC046N10NS3G chip is available in a TO-220 package type, with a form of through-hole mounting. The package size is typically around 10.3mm in length, 9.5mm in width, and 4.6mm in height.

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BSS223PWH6327XTSA1

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BSP613PH6327XTSA1

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BSP170PH6327XTSA1

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BSS131H6327XTSA1

Infineon

BSS126H6327XTSA2

Infineon

BSS123NH6327XTSA1

Infineon

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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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