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Infineon BSC070N10NS3GATMA1
100V N-channel MOSFET designed for automotive environments, capable of handling up to 90A of current
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSC070N10NS3GATMA1
Fiche de données: BSC070N10NS3GATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TDSON-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3614 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureBSC070N10NS3GATMA1 Description générale
BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) from Infineon Technologies. It is part of the OptiMOSTM 3 family of power transistors designed for high efficiency and power density applications. This MOSFET has a maximum drain-source voltage (VDS) of 100 volts and a continuous drain current (ID) of 70 amps, making it suitable for use in a wide range of power electronics applications. It has a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.007 ohms, which helps to minimize power losses and improve system efficiency.The BSC070N10NS3GATMA1 features an advanced OptiMOSTM 3 technology, which offers low switching losses and high switching frequencies, making it ideal for applications where high power density and efficiency are critical. Additionally, this MOSFET is designed for high temperature operation, with a maximum junction temperature of 175 degrees Celsius, ensuring reliable performance in challenging thermal environments.
Caractéristiques
- MOSFET transistor
- 700V drain-source voltage
- 10A continuous drain current
- 60mohm Rds(on) at Vgs=10V
- Low gate charge
- High ruggedness
- Halogen-free
- RoHS compliant
Application
- Switched-mode power supplies
- Motor control applications
- DC/DC converters
- Inverter and UPS systems
- Industrial automation
- Robotics
- Renewable energy systems
- Electric vehicle charging systems
- LED lighting
- Audio amplifiers
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS; RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | SuperSO8 5x6 | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | P31 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active | hfgr | A |
| packageName | PG-TDSON-8 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP000778082 |
| fourBlockPackageName | PG-TDSON-8-1 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSC070N10NS3GATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP000778082 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC070N10NS3GATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for efficient power management and control in various applications. It features a low on-resistance and high switching performance, making it suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics. With its advanced technology and compact design, this chip offers improved power efficiency and reliability.
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Equivalent
Some equivalent products to the BSC070N10NS3GATMA1 chip may include the BSC077N10NS3G, BSC078N10NS3G, and BSC079N10NS3G. These chips have similar specifications and can potentially be used as replacements or alternatives. -
Features
The BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It offers high energy efficiency and reliable performance for various industrial applications. -
Pinout
The BSC070N10NS3GATMA1 is a MOSFET transistor with a pin count of 8. Its function is to provide power switching capabilities with a low on-resistance of 7 mΩ. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC070N10NS3GATMA1. It is a German semiconductor company specializing in various electronic solutions, including power semiconductors, sensor systems, and automotive electronics. -
Application Field
The BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET that can be used in various application areas such as power supplies, motor drives, and other high-current switching applications. It offers low on-state resistance and high switching performance, making it suitable for demanding industrial and automotive applications. -
Package
The BSC070N10NS3GATMA1 chip is a MOSFET power transistor. It comes in a D2PAK package type, also known as TO-263-3, which has three pins. The approximate dimensions of the package are 10.16mm x 9.20mm x 4.57mm.
Fiche de données PDF
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
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