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Infineon BSC190N15NS3GATMA1
Single N-Channel 150 V 19 mOhm 23 nC OptiMOS Power Mosfet TDSON-8
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSC190N15NS3GATMA1
Fiche de données: BSC190N15NS3GATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TDSON-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3206 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureBSC190N15NS3GATMA1 Description générale
BSC190N15NS3GATMA1 is a Silicon Carbide Schottky Diode offering high switching speed and low forward voltage drop characteristics. It operates at a voltage rating of 1500V and has a continuous forward current rating of 19A. This diode is packaged in a TO-247-3 package, which allows for easy mounting and efficient heat dissipation.The BSC190N15NS3GATMA1 diode is designed for use in high-power applications such as power supplies, solar inverters, and motor drives where high efficiency and reliability are crucial. It exhibits excellent temperature stability and low reverse recovery current, making it ideal for high-frequency applications.With its low leakage current and high surge capability, the BSC190N15NS3GATMA1 diode is suited for demanding environments where robust performance is needed. Its Schottky barrier design also ensures minimal switching losses and high efficiency, making it a popular choice for applications requiring high power density.
Caractéristiques
- IGBT transistor module
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500V
- Current - Collector (Ic) (Max): 190A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 190A
- Power - Max: 1160W
- Mounting Type: Chassis Mount
Application
- Electric vehicle powertrain
- Solar energy inverters
- Industrial motor drives
- Wind power systems
- Uninterruptible power supplies
- Switched-mode power supplies
- Electric vehicle charging systems
- Energy storage systems
- High-power DC-DC converters
- Renewable energy systems
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS, RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | SuperSO8 5x6 | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | I54 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active | hfgr | A |
| packageName | PG-TDSON-8 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP000416636 |
| fourBlockPackageName | PG-TDSON-8-1 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSC190N15NS3GATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP000416636 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor chip designed for high-power applications in automotive and industrial settings. It features a low on-resistance and high current-carrying capability, making it suitable for various power switching and control purposes. This chip offers reliable performance and efficient power handling in demanding environments.
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Equivalent
The equivalent products of the BSC190N15NS3GATMA1 chip are IRFP064NPBF, STP26NM60N, IXFN34N60, and IPP60R130CFD. These chips are also power MOSFET transistors that can be used as alternatives to the BSC190N15NS3GATMA1 in various applications. -
Features
BSC190N15NS3GATMA1 is a 1500V SiC diode with low leakage current, low forward voltage, and fast switching speed. It has a high surge current capability and excellent thermal performance. The device is suitable for use in high temperature and high power applications such as power supplies, solar inverters, and electric vehicles. -
Pinout
The BSC190N15NS3GATMA1 is a MOSFET with a TO-263-3 package. It has a pin count of 3, with one pin for the source (S), one pin for the gate (G), and one pin for the drain (D). The function of this MOSFET is to control the flow of current between the drain and source terminals. -
Manufacturer
The BSC190N15NS3GATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and sensor solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. They are known for their innovative products and technologies in areas such as power management, automotive electronics, and renewable energy. -
Application Field
The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor suitable for use in applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its high current handling capabilities and low on-resistance make it ideal for applications requiring high efficiency and power. -
Package
The BSC190N15NS3GATMA1 is a Power-SO8 package with a size of 5mm x 6mm. It is a single N-channel MOSFET chip with a voltage rating of 150V and a current rating of 190A.
Fiche de données PDF
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