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$5000
BSS123W
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 0.17A, 6Ω
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: ON SEMICONDUCTOR
Pièce Fabricant #: BSS123W
Fiche de données: BSS123W Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-323
Statut RoHS:
État des stocks: 9 444 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
20 | $0,022 | $0,440 |
200 | $0,018 | $3,600 |
600 | $0,016 | $9,600 |
3000 | $0,013 | $39,000 |
9000 | $0,012 | $108,000 |
21000 | $0,011 | $231,000 |
En stock: 9 444 PC
BSS123W Description générale
This N-channel enhancement mode MOSFET is produced using high cell density, trench MOSFET technology. This product minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, logic level transistor, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.
Caractéristiques
- High-Speed, Low-Power Operation
- Fast Switching Time & RDS(ON)
- Efficient Thermal Dissipation
- Precision Temperature Compensation
- Rapid Charge/Discharge Capability
- Ultra-Low Saturation Current
Application
- Audio Equalizer ICs
- DC Motor Controllers
- Switching Power Supplies
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Source Content uid | BSS123W | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | End Of Life | Ihs Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR |
Package Description | SC-70, 3 PIN | Manufacturer Package Code | 419AB |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.95 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (ID) | 0.17 A | Drain-source On Resistance-Max | 6 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 2.74 pF |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.2 W |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2 W | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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