Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit

Commandes de plus de

$5000

bénéficient $50 d'une remise !

BSS169H6327XTSA1

Name: BSS169H6327XTSA1
Rating: 4.5 (10 reviews)

SOT-23-3-packaged MOSFET with N-type conductivity, rated for 100 volts and capable of handling currents up to 90 milliamps

Marques: Infineon Technologies

Pièce Fabricant #: BSS169H6327XTSA1

Fiche de données: BSS169H6327XTSA1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 9 803 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour BSS169H6327XTSA1 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

Quantité^*

E-mail^*

Nom du contact^*

Entreprise

Remarque

BSS169H6327XTSA1 Description générale

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 170 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 27 / Rise Time ns = 2.7 / Turn-OFF Delay Time ns = 11 / Turn-ON Delay Time ns = 2.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 360

Caractéristiques

Advanced power management
Superior signal-to-noise ratio
High-reliability construction

Application

High efficiency
Temperature resistant
Versatile application

Caractéristiques

Paramètre	Valeur	Paramètre	Valeur
Series	SIPMOS®	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 50µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8 nC @ 7 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	68 pF @ 25 V
FET Feature	Depletion Mode	Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT23	Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number	BSS169

Expédition

	Frais d'expédition	Délai de mise en œuvre
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement		Frais de main
	Virement bancaire	facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
	Pay Pal	facturer des frais de service de 4,0 %.
	Carte de crédit	facturez des frais de service de 3,5%.
	Western union	charge US.00 banking fee.
	Paiement de Petit Montant	facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

Étape1 :Produit
Étape2 :Emballage sous vide
Étape3 :Sac antistatique
Étape4 :Emballage individuel
Étape5 :Boîtes d'emballage
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

Points de pièce

The BSS169H6327XTSA1 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) chip designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power management circuits, motor controls, and voltage regulation systems. The chip offers low on-resistance, high current handling capability, and fast switching speeds, making it ideal for various power electronics applications.
Equivalent

The equivalent products of the BSS169H6327XTSA1 chip are BSS169, BSS169LT1G, BSS169LT1, BSS169H6327HTSA1, BSS169H6327HTSA2, and BSS169H6327HTSA1. These are all N-channel enhancement mode field-effect transistors with similar specifications and performance characteristics.
Features

1. Logic level N-channel MOSFET 2. Low threshold voltage of 1V max 3. Low on-state resistance of 1.6 ohms max 4. High continuous drain current of 400mA 5. Low power dissipation 6. Small SOT23 package 7. RoHS compliant
Pinout

BSS169H6327XTSA1 is a N-channel MOSFET with a SOT23 package. It has 3 pins: gate (G), source (S), and drain (D). The function of BSS169H6327XTSA1 is to switch or amplify electronic signals within a circuit.
Manufacturer

BSS169H6327XTSA1 is manufactured by Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor manufacturer specializing in automotive, industrial, and power management solutions. Infineon is known for its high-quality products and innovative technology, serving various industries worldwide.
Application Field

BSS169H6327XTSA1 is a P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) commonly used in low-voltage and low-current switching applications. It is suitable for power management, battery charging, and load switching in portable devices, IoT devices, and other electronics requiring a small footprint and low power consumption.
Package

The BSS169H6327XTSA1 chip from Infineon Technologies is a surface mount SOT-23 package. It is in the form of a small outline transistor with three leads. The dimensions of the SOT-23 package are approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.

BSM200GD60DLC

Infineon

BSM30GP60

Infineon

BS107AG

ONSEMI

BS250FTA

Diodes Incorporated

BSS138-7-F

Diodes Incorporated

BSS138Q-7-F

Diodes Incorporated

BSM300GA120DN2

Infineon

BSC600N25NS3 G

Infineon

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes

Veuillez évaluer le produit !

Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

AO4292E

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...
VQ1004P

Vishay

VQ1004P by Siliconix
STS4DPF30L

Stmicroelectronics

Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...
STS9D8NH3LL

STMicroelectronics

Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...
RFP30P05

Onsemi

MOSFET Power P-Channel TO-220AB
NE3210S01-T1B

Cel

High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...