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$5000BSS308PE H6327
SOT-23-3 P-Channel MOSFET rated for -30V and -2A
Marques: Infineon
Pièce Fabricant #: BSS308PE H6327
Fiche de données: BSS308PE H6327 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 720 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSS308PE H6327 Description générale
The BSS308PE H6327 is a P-Channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by Infineon Technologies. It is designed for high-speed switching applications in power management circuits.The BSS308PE H6327 has a drain-source voltage (VDS) rating of -60 volts and a continuous drain current (ID) of -1.3 amperes. It has a low on-resistance (RDS(on)) of 2.1 ohms, allowing for efficient power handling and minimal power loss.This FET is housed in a SOT23 package, which is a small surface-mount package that is commonly used for space-constrained applications. The SOT23 package also provides good thermal performance, helping to dissipate heat generated during operation.The BSS308PE H6327 is RoHS compliant, meaning it meets environmentally friendly standards by restricting the use of hazardous materials. It is ideal for use in battery management, power distribution, and load switching applications.In summary, the BSS308PE H6327 is a high-performance P-Channel FET with a low on-resistance and high-speed switching capabilities. Its compact SOT23 package and RoHS compliance make it a versatile and reliable choice for power management applications
Caractéristiques
- Improved thermal management
- Reduced electromagnetic interference
- Enhanced reliability and durability
Application
- Smart sensor technology
- Integrated power solutions
- State-of-the-art power management
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 62 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
| Series | BSS308 | Brand | Infineon Technologies |
| Configuration | Single | Fall Time | 2.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.6 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7.7 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15.3 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5.6 ns |
| Width | 1.3 mm | Part # Aliases | BSS38PEH6327XT SP000928942 BSS308PEH6327XTSA1 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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Emballage
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