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$5000BSS83,215
High-power MOSFET for efficient switching and contro
Marques: NXP SEMICONDUCTORS
Pièce Fabricant #: BSS83,215
Fiche de données: BSS83,215 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-143
type de produit: RF FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 351 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSS83,215 Description générale
NXP's BSS83,215 RF switching MOSFET is a high-quality, high-performance component suitable for a variety of voltage-regulating applications. With a drain-source voltage of 10V and a continuous drain current of 50mA, this N-channel MOSFET offers excellent power handling capabilities in a compact 4-SOT-143B package. Its power dissipation of 230mW ensures reliable operation in demanding electronic circuits. The BSS83,215 is RoHS compliant, making it an environmentally friendly choice for applications that require compliance with international regulations. From RF switching to power control, this MOSFET delivers superior performance and efficiency in a wide range of electronic devices
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSS83,215 | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | NXP SEMICONDUCTORS |
| Part Package Code | SOT-143 | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Pin Count | 4 | Manufacturer Package Code | SOT143B |
| Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
| HTS Code | 8541.21.00.95 | Samacsys Manufacturer | NXP |
| Case Connection | SUBSTRATE | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 10 V | Drain Current-Max (ID) | 0.05 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 120 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 125 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.23 W |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Package | Tape & Reel (TR) | Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET | Current Rating (Amps) | 50mA |
| Voltage - Rated | 10 V | Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA | Supplier Device Package | SOT-143B |
| Base Product Number | BSS8 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSS83,215 is a high-speed switching transistor chip designed for use in a variety of electronic applications. It features a high voltage rating and low on-resistance, making it ideal for power control and amplification tasks. This chip is commonly used in digital and analog circuits, as well as in audio amplifiers and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of the BSS83,215 chip are BSS83LT1G, BSS85, and BSS83GEG. These are all N-channel enhancement mode field-effect transistors (FETs) with similar specifications and functions. -
Features
BSS83,215 is a N-channel MOSFET transistor with a V(BR)DSS of 200V, a continuous drain current of 0.63A, and a low threshold voltage of 1V. It is designed for use in high-speed switching applications, offering low on-state resistance and high transconductance to improve performance in power management circuits. -
Pinout
BSS83,215 is a N-channel MOSFET transistor with SOT-223 packaging. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
BSS83,215 is manufactured by NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch multinational semiconductor manufacturer that specializes in designing and manufacturing high-performance mixed-signal and standard product solutions for a diverse range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
BSS83 is commonly used in portable electronic devices, power management systems, and motor control applications, while BSS215 is often utilized in battery-powered equipment, load switching, and low-voltage applications. Both transistors are ideal for small signal switching and amplification in various consumer electronics and industrial applications. -
Package
The BSS83,215 chip is a surface mount package type in a SOT-223 form. It has a size of 6.7mm x 3.6mm x 2.4mm.
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