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Infineon BSZ018N04LS6ATMA1
N-Channel 40 V 27A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSZ018N04LS6ATMA1
Fiche de données: BSZ018N04LS6ATMA1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PG-TSDSON-8
Statut RoHS:
État des stocks: 3294 pièces, nouveau original
type de produit: MOSFET
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,659 | $1,659 |
| 200 | $0,642 | $128,400 |
| 500 | $0,620 | $310,000 |
| 1000 | $0,610 | $610,000 |
In Stock:3294 PCS
BSZ018N04LS6ATMA1 Description générale
N-Channel 40 V 27A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Caractéristiques
- Compared to alternative products:
- RDS(on) reduced by 30%
- RDS(on) reduced by 30%
- Improved FOM Qg x RDS(on) by 29%
- Improved FOM Qgd x RDS(on) by 46%
- Optimized for synchronous rectification
- Suited for ORing circuits
- RoHS compliant - halogen free
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Reduced need for snubber circuit
- System cost reduction
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-FL-8 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Series: | BSZ0xx | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 4 ns | Forward Transconductance - Min: | 110 S |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 1.6 ns |
| Factory Pack Quantity: | 5000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns | Part # Aliases: | BSZ018N04LS6 SP002116668 |
| Unit Weight: | 0.001367 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSZ018N04LS6ATMA1 chip is a 40V N-channel power MOSFET designed for use in various electronic devices, such as power supplies, inverters, and motor control applications. It features low on-resistance and high current-handling capabilities, making it suitable for high-performance power management systems. The chip is compact and provides efficient power conversion with enhanced overall system efficiency.
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Pinout
The BSZ018N04LS6ATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 6. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSZ018N04LS6ATMA1 is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics. -
Application Field
The BSZ018N04LS6ATMA1 is a power MOSFET that can be used in a variety of applications such as voltage regulators, motor control, battery management systems, and power supplies. -
Package
The BSZ018N04LS6ATMA1 chip is available in a power package type known as LFPAK56. It is in a dual-n-channel form and has a small size of 5.6mm x 6mm.
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
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