Commandes de plus de
$5000BUZ111S
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Marques: Infineon Technologies Ag
Pièce Fabricant #: BUZ111S
Fiche de données: BUZ111S Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-220
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 2 910 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ovaga dispose d'un stock important de BUZ111S Single FETs, MOSFETs depuis Infineon Technologies Ag et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de Infineon Technologies Ag Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour BUZ111S à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Obsolete |
HTS | 8541.29.00.95 | Automotive | No |
PPAP | No | Category | Power MOSFET |
Process Technology | SIPMOS | Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement | Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 | Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8@10V | Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 125@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 125 | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3600@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 | Typical Fall Time (ns) | 40 |
Typical Rise Time (ns) | 30 | Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 65 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 | Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | Packaging | Tube |
Mounting | Through Hole | Package Height | 9.25 |
Package Width | 4.4 | Package Length | 10 |
PCB changed | 3 | Tab | Tab |
Standard Package Name | TO-220 | Supplier Package | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
---|---|---|
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
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2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BUZ111S is a power MOSFET chip designed for use in high voltage applications. It is commonly used in switch mode power supplies, motor control, and general purpose inverters. This chip offers low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it a popular choice for a wide range of electronic devices and applications.
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Equivalent
The equivalent products of BUZ111S chip are IRF7466, IRF7468, IRF7469, and IRF7465. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the BUZ111S for various electronic applications. -
Features
The BUZ111S is a N-channel power MOSFET designed for use in high-speed switching applications. It features low on-resistance, high voltage capability, and high speed switching. It is suitable for use in a wide range of power management and control applications, including motor control, power supplies, and industrial lighting. -
Pinout
The BUZ111S is a power MOSFET with a TO-220AB package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The function of the BUZ111S is to provide a high-speed switching capability for power supply and motor control applications. -
Manufacturer
The BUZ111S is manufactured by Infineon Technologies AG, which is a German semiconductor manufacturing company. They specialize in producing power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BUZ111S is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as high-frequency DC-DC converters, motor control, power supplies, and battery management systems. Its low on-resistance and fast switching capabilities make it suitable for high power applications and efficient energy conversion. -
Package
The BUZ111S chip is a TO220AB package type, available in a through-hole form, and has a size of 10.67mm x 4.83mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits