Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

DMMT5401-7-F

Trans GP BJT PNP 150V 0.2A 300mW Automotive 6-Pin SOT-26 T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: DIODES INC

Pièce Fabricant #: DMMT5401-7-F

Fiche de données: DMMT5401-7-F Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-26-6

type de produit: Bipolar Transistor Arrays

Statut RoHS:

État des stocks: 8 837 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour DMMT5401-7-F ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

DMMT5401-7-F Description générale

Designed for small signal applications, the DMMT5401-7-F is a matched PNP/PNP transistor with a collector-emitter voltage of -150V and a power dissipation rating of 300mW. This transistor features a DC current gain (hFE) of 60 and a collector current of -200mA, making it suitable for a wide range of circuit designs. Housed in a convenient SOT-26 package, the transistor has a low collector-emitter saturation voltage of -500mV and a high gain bandwidth of 300MHz, making it ideal for high-frequency applications. With an operating temperature range of -55°C to +150°C, the DMMT5401-7-F transistor provides reliable performance in demanding environments

Caractéristiques

  • Epitaxial Planar Die Construction
  • Complementary NPN Type Available (DMMT5551)
  • Ideal for Low Power Amplification and Switching
  • Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1)
  • 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)
  • Lead Free/RoHS Compliant (Note 4)
  • "Green" Device, Note 5 and 6

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer DIODES INC
Package Description GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 Pin Count 6
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 42 Weeks Samacsys Manufacturer Diodes Inc.
Collector Current-Max (IC) 0.2 A Collector-Emitter Voltage-Max 150 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS DC Current Gain-Min (hFE) 50
JESD-30 Code R-PDSO-G6 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The DMMT5401-7-F is a dual NPN/PNP switching transistor chip designed for use in various electronic applications. It is commonly used in amplifiers, drivers, and switches due to its high voltage and current capabilities. With its compact size and compatibility with surface mount technology, the DMMT5401-7-F is a versatile and reliable component for a wide range of circuit designs.
  • Equivalent

    The equivalent products of the DMMT5401-7-F chip are the BC847CLT1G, BC847BLT1G, and BC857BLT1G transistors from ON Semiconductor. These devices are also dual NPN and PNP transistors with similar specifications and characteristics to the DMMT5401-7-F chip.
  • Features

    The DMMT5401-7-F is a dual general-purpose surface mount transistor with NPN and PNP configurations. It has a total power dissipation of 225mW, a continuous collector current of 100mA, and a voltage rating of 30V. The device is RoHS compliant and suitable for use in a wide range of applications requiring low power switching and amplification.
  • Pinout

    The DMMT5401-7-F is a dual SOT-363 package transistor with three pins. Pin 1 is the emitter of transistor 1, pin 2 is the base of both transistors, and pin 3 is the emitter of transistor 2. This transistor is commonly used for switching and amplification applications in electronic circuits.
  • Manufacturer

    Diodes Incorporated is the manufacturer of DMMT5401-7-F. It is a global semiconductor company that designs and manufactures high-quality discrete and analog semiconductor products for a wide range of applications in the consumer electronics, automotive, industrial, and communications markets.
  • Application Field

    The DMMT5401-7-F is commonly used in applications such as audio amplifiers, signal processing circuits, and voltage regulation systems. It can also be used in radio frequency (RF) detectors, mixer circuits, and low-power amplifiers. Additionally, it is suitable for general purpose switching applications in various electronic devices.
  • Package

    The DMMT5401-7-F chip is a dual NPN/PNP small signal surface mount transistor in a SOT-363 package. It comes in a form of a chip and has a size of 1.30mm x 1.45mm x 0.95mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...