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DMN6075S-7
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 12.3 nC 0.8 W Silicon Mosfet - SOT-23
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: DIODES INC
Pièce Fabricant #: DMN6075S-7
Fiche de données: DMN6075S-7 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 7 897 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
5 | $0,099 | $0,495 |
50 | $0,079 | $3,950 |
150 | $0,069 | $10,350 |
500 | $0,062 | $31,000 |
3000 | $0,054 | $162,000 |
6000 | $0,051 | $306,000 |
En stock: 7 897 PC
DMN6075S-7 Description générale
The DMN6075S-7 MOSFET is a high-performance N-Channel transistor designed for applications requiring efficient power control. With a drain source voltage of 60V and a continuous drain current of 2A, this MOSFET can handle high power loads with ease. The low on-resistance of 0.069ohm and threshold voltage of 3V contribute to its energy efficiency and performance. The SOT-23 package and 3-pin design make it easy to install and solder onto circuit boards. With an operating temperature range of up to 150°C, the DMN6075S-7 MOSFET is a reliable choice for a wide range of electronic applications
Caractéristiques
- Dual N-Channel MOSFET
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Ultra-Small Surface Mount Package
- Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 3)
Application
SWITCHINGCaractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | DIODES INC | Package Description | SOT-23, 3 PIN |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 78 Weeks | Samacsys Manufacturer | Diodes Inc. |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (ID) | 2 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.085 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 1.15 W | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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