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$5000
DMN65D8L-7
High-reliability power device for demanding applications
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Diodes Incorporated
Pièce Fabricant #: DMN65D8L-7
Fiche de données: DMN65D8L-7 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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20 | $0,018 | $0,360 |
200 | $0,015 | $3,000 |
600 | $0,014 | $8,400 |
3000 | $0,013 | $39,000 |
9000 | $0,012 | $108,000 |
21000 | $0,012 | $252,000 |
En stock: 9 458 PC
DMN65D8L-7 Description générale
In the world of electronics, the DMN65D8L-7 stands out as a top-of-the-line N-Channel MOSFET transistor that delivers exceptional performance in a small package. With a low on-resistance of 3 ohms and a high current rating of 310mA, this transistor is capable of handling a wide range of applications with ease. The SOT-23 package makes it easy to mount on circuit boards, while the metal oxide construction ensures durability and reliability. Whether you're working on a hobby project or a professional application, the DMN65D8L-7 is sure to meet your requirements
![](/files/uploads/product/b/6994d266-8e5d-4829-827f-78c88e2136c6.webp)
Caractéristiques
Channel ModeEnhancement
PdPower Dissipation370 mW
ID (drain current)310 mA
Rds-On-Drain-Source-Resistance4 Ohms
Fall-Time7.3n
Rise-Time2.8 ns
Transistor Type1 N-Channel
Package-CaseSOT-23-3
Mounting-StyleSMD/SMT
Transistor PolarityN-Channel
Application
: Diodes Incorporated FETs Single DMN65D8L-7 can be used in a wide range of applications such as power management, motor control, audio amplifiers, power supplies, digital signal processing and switching applications. It is suitable for use in industrial, automotive and consumer applications.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Diodes Incorporated | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-23-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 310 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V | Qg - Gate Charge: | 870 pC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 540 mW | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | DMN63 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | Diodes Incorporated | Configuration: | Single |
Fall Time: | 7.3 ns | Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 2.8 ns |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 12.6 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 2.7 ns |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The DMN65D8L-7 is a power MOSFET chip designed for high efficiency and performance in power management applications. It has a low on-resistance and is capable of handling heavy loads while dissipating minimal heat. This chip is suitable for use in a variety of electronic devices, including power supplies, motor control, and LED lighting systems.
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Equivalent
The equivalent products of DMN65D8L-7 chip are FDS9926A and DMN26D0LFB4L. -
Features
- N-channel MOSFET with a low on-resistance of 9.3mOhm - 650V breakdown voltage for high voltage applications - 28A continuous drain current for high power handling capabilities - Designed for use in power supplies, motor control, and other high voltage applications - DFN packaging for compact and efficient mounting options -
Pinout
DMN65D8L-7 is a N-channel trench MOSFET with a pin count of 3. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. This MOSFET is typically used as a switching device in power management applications due to its high efficiency and low on-resistance. -
Manufacturer
DMN65D8L-7 is manufactured by Panasonic Corporation. Panasonic is a Japanese multinational electronics corporation that produces a wide range of products, including consumer electronics, home appliances, and industrial equipment. They are known for their high-quality and innovative technology across various industries. -
Application Field
The DMN65D8L-7 is commonly used in high-power RF applications such as cellular base stations, radar systems, and satellite communications. Its high power handling capabilities and efficient design make it ideal for applications requiring high linearity and reliability. -
Package
The DMN65D8L-7 chip is a surface-mount package type with a form of a transistor. It measures 5mm x 6mm in size.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits