Commandes de plus de
$5000DMWS120H100SM4
MOSFET SiC with BVDSS greater than 1000V, TO247-4 package in a tube of 30 pieces
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Diodes Incorporated
Pièce Fabricant #: DMWS120H100SM4
Fiche de données: DMWS120H100SM4 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-4
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 7 214 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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DMWS120H100SM4 Description générale
With the DMWS120H100SM4, you can trust that your high-power components are in good hands. This water-cooled heat sink is built for reliability, with a sturdy construction that can handle the heat. Its 120mm x 120mm size and 100mm height make it a versatile option for a wide range of applications, from power transistors to industrial machinery. Experience peace of mind knowing that the DMWS120H100SM4 is working tirelessly to keep your electronics cool and performing at their best
Caractéristiques
- Advanced Signal Processing Capability
- Compact Size with High Power Density
- Reliable Performance under Harsh Conditions
Application
- Military-grade performance
- Reliable in all conditions
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-4 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 37.2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | + 19 V, - 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V | Qg - Gate Charge | 52 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 208 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | Diodes Incorporated | Fall Time | 5.03 ns |
Forward Transconductance - Min | 3.8 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 20.67 ns | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 15.05 ns |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits