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$5000
EM6M2T2R
6-Pin EMT-packaged Transistor MOSFET with Silicon technology, N/P-Channel, 20V voltage, and 0.2A current
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: ROHM Semiconductor
Pièce Fabricant #: EM6M2T2R
Fiche de données: EM6M2T2R Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-563-6
Statut RoHS:
État des stocks: 8 966 pièces, nouveau original
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
5 | $0,080 | $0,400 |
50 | $0,071 | $3,550 |
150 | $0,067 | $10,050 |
500 | $0,063 | $31,500 |
2500 | $0,052 | $130,000 |
5000 | $0,052 | $260,000 |
En stock: 8 966 PC
EM6M2T2R Description générale
For those seeking top-notch MOSFET technology, the EM6M2T2R product offers a comprehensive solution. Featuring complex type MOSFETs with low ON-resistance capabilities, this product is perfect for a variety of applications. Its compact design is ideal for space-constrained devices, while the high-power types cater to more demanding systems. With advanced micro-processing technologies at its core, the EM6M2T2R guarantees superior performance and efficiency. Whatever your needs may be, this product's broad lineup ensures that you can find the perfect MOSFET solution to suit your requirements in the market
Caractéristiques
Two-channel FET array
N and P-channel transistors
Based on silicon technology
Gate-source voltage of 10V
Drain-source breakdown voltage of 20V
Maximum power of 150mW
Drain current of 200mA
Transconductance of 0.2S
Drain-source voltage of 20V
Application
SWITCHINGCaractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-563-6 |
Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 200 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms, 1.2 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V, - 10 V, + 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | - |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 150 mW | Channel Mode | Enhancement |
Series | EM6M2 | Brand | ROHM Semiconductor |
Configuration | Dual | Fall Time | 10 ns, 17 ns |
Forward Transconductance - Min | 200 mS | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns, 4 ns |
Factory Pack Quantity | 8000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns, 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 6 ns | Part # Aliases | EM6M2 |
Unit Weight | 0.000212 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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