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$5000SI7232DN-T1-GE3
SI7232DN-T1-GE3 Dual N-Channel MOSFET with 20 V rating
Marques: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Pièce Fabricant #: SI7232DN-T1-GE3
Fiche de données: SI7232DN-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK® 1212-8 Dual
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 6 704 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI7232DN-T1-GE3 Description générale
IV. The SI7232DN-T1-GE3 is a state-of-the-art N-Channel Power Field-Effect Transistor engineered to deliver exceptional performance in power-sensitive applications. With a maximum drain current of 10A and a 0.0164ohm low on-resistance, this MOSFET offers superior power handling capabilities while minimizing conduction losses. Its 2-Element, leadless 1212-8 Powerpak-8 package ensures high power density and efficient thermal management, making it an ideal choice for space-constrained designs. The device's Silicon Metal-oxide Semiconductor FET technology provides fast switching speeds and reliable operation, meeting the demanding requirements of modern power electronics. Furthermore, its HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT design underscores the manufacturer's commitment to sustainability and environmental responsibility. Whether utilized in automotive systems, battery management, or point-of-load regulation, the SI7232DN-T1-GE3 stands out as a dependable and efficient power switch
Caractéristiques
- TrenchFET® power MOSFET
- Material categorization: for definitions of compliance please see
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8 |
| Reach Compliance Code | compliant | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Application | SWITCHING | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | S-XDSO-C6 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 2 | Number of Terminals | 6 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Shape | SQUARE | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | C BEND | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI7232DN-T1-GE3 chip is a power MOSFET designed for DC-DC converters and other high-frequency power applications. It offers low ON-resistance and a small form factor, making it suitable for space-constrained systems. This chip provides high efficiency and reliable performance, contributing to reduced power consumption and improved system performance.
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Features
The SI7232DN-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a voltage rating of -20V, a drain current of -8A, and a low on-resistance of 19mΩ. It has a small package size, making it suitable for space-constrained applications. It is designed for low power loss and high efficiency in a wide range of electronic devices. -
Pinout
The SI7232DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8 (SO-8 package). It is commonly used in power management applications for switching and amplification purposes due to its low on-resistance and fast switching speed. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7232DN-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in the design, production, and distribution of power MOSFETs, ICs, diodes, and other electronic components. -
Application Field
The SI7232DN-T1-GE3 is a power MOSFET designed for use in a wide range of applications, including power supplies, motor control, and automotive systems. Its low on-resistance and high current handling capabilities make it suitable for power conversion and control circuits where efficiency and reliability are important. -
Package
The SI7232DN-T1-GE3 chip is available in a package type called PowerPAK SO-8. Its form is surface mount and measures approximately 5mm x 6mm.
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