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ON FCMT180N65S3
N-Channel 650 V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount Power88
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FCMT180N65S3
Fiche de données: FCMT180N65S3 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: PQFN-4
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2101 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFCMT180N65S3 Description générale
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor's brand-new high voltage super-junction(SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the switching power applications such as server/telecom power, adapter and solar inverter applications.The Power88 package is an ultra-slim surface-mount package (1mm high) with a low profile and small footprint (8 * 8 mm2). SUPERFET III MOSFET in a Power88 package offers excellent switching performance due to lower parasitic source inductance and separated power and drive sources. Power88 offers Moisture Sensitivity Level 1(MSL 1).
Caractéristiques
- 700 V @ TJ = 150 oC
- Leadless Ultra-thin SMD package
- Kelvin contact
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 305 pF)
- Optimized Capacitance
- Typ. RDS(on) = 152 mΩ
- 100% Avalanche Tested
- RoHS Compliant
- Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
- Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Application
- Telecommunication
- Cloud system
- Industrial
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | ON Semiconductor | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | Power-88-4 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 30 V | Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | SuperFET III |
| Packaging: | Reel | Series: | SuperFET3 |
| Brand: | ON Semiconductor | Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Fall Time: | 6 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 16 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns | Tags | FCMT1, FCMT, FCM |
| Unit Weight: | 0.005505 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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FCMT180N65S3 is a chip that belongs to the power MOSFET family. It is designed for high voltage applications and offers low on-resistance, making it suitable for power conversion and management in various electronic devices. With its advanced features and compact size, the FCMT180N65S3 chip provides efficient and reliable performance in demanding applications.
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Features
The FCMT180N65S3 is a power MOSFET transistor characterized by a low on-resistance, high efficiency, and high drain current capability. It operates at a voltage rating of 650V, making it suitable for a wide range of power management applications, such as industrial machinery and high-power electronics. -
Pinout
The FCMT180N65S3 has a pin count of 3 and serves as a MOSFET power transistor. It is typically used for high-power applications, such as switch-mode power supplies, motor control, and lighting. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the FCMT180N65S3. It is a German multinational semiconductor and system solutions company that specializes in power semiconductors. -
Application Field
The FCMT180N65S3 is a power MOSFET transistor used primarily in high-power applications such as industrial motor drives, renewable energy systems, electric vehicles, and other high-voltage switching systems. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for high-performance power electronics applications. -
Package
The FCMT180N65S3 chip has a package type of TO-220, a form of N-channel and size of 10.67mm x 4.83mm x 9.2mm.
Fiche de données PDF
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