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ON FDS6673BZ
P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Marques: ON
Pièce Fabricant #: FDS6673BZ
Fiche de données: FDS6673BZ Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOP8
Statut RoHS:
État des stocks: 2984 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,713 | $0,713 |
| 10 | $0,593 | $5,930 |
| 30 | $0,533 | $15,990 |
| 100 | $0,474 | $47,400 |
| 500 | $0,438 | $219,000 |
| 1000 | $0,420 | $420,000 |
In Stock:2984 PCS
FDS6673BZ Description générale
This P-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.
This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Caractéristiques
- Max rDS(on) = 7.8mΩ, VGS = -10V, ID = -14.5A
- Max rDS(on) = 12mΩ, VGS = -4.5V, ID = -12A
- Extended VGS range (-25V) for battery applications
- HBM ESD protection level of 6.5kV typical (note 3)
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- High power and current handling capability
- RoHS compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 14.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 124 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDS6673BZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 105 ns |
| Forward Transconductance - Min | 60 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 16 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 225 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns | Width | 3.9 mm |
| Unit Weight | 0.004586 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDS6673BZ is a power MOSFET chip used in a variety of electronic devices. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverter circuits. With low on-resistance and fast switching capabilities, this chip offers efficient performance and reliable operation.
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Equivalent
Some possible equivalent products for the FDS6673BZ chip include FDS5670, FDS6675B, and FDP6670AL. -
Features
The FDS6673BZ is a power MOSFET with a voltage rating of 30V and a current rating of 13A. It has low on-resistance, making it suitable for high-power applications. It also features a fast switching speed, low gate charge, and low gate drive requirements. -
Pinout
The FDS6673BZ is a 8-pin n-channel MOSFET transistor. The pin count and function of each pin are as follows: 1. Drain - handles the flow of current from the transistor 2. Drain - alternate pin for the current flow 3. Source - connects to the ground or negative power supply 4. Gate - controls the switching action of the transistor 5. Gate - alternate pin for the switching action 6. Source - alternate pin for the ground connection 7. Not Connected - unused pin 8. Not Connected - unused pin -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS6673BZ is Fairchild Semiconductor. It is an American company that specializes in designing, manufacturing, and selling various semiconductor products. -
Application Field
The FDS6673BZ is a MOSFET transistor commonly used in power supply applications and switching circuits. It is suitable for various electronic devices requiring high-performance switching capabilities, such as computer power supplies, industrial power control systems, motor drives, LED lighting, and automotive applications. -
Package
The FDS6673BZ chip comes in a SOP-8 package type, with an overall form of a small outline package. The size of the package is approximately 5.1mm x 6.2mm.
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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