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ON FDS2670
Featuring N Channel configuration
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDS2670
Fiche de données: FDS2670 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOIC-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2274 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDS2670 Description générale
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Caractéristiques
- 3.0A, 200 V
- RDS(ON) = 130 mΩ @ VGS = 10 V
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOIC-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 130 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 43 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDS2670 | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 25 ns |
| Forward Transconductance - Min | 15 S | Height | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 8 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns | Width | 3.9 mm |
| Part # Aliases | FDS2670_NL |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDS2670 chip is an integrated circuit that combines a power MOSFET and a PWM controller into a single device. It is commonly used in applications such as power management, motor control, and battery charging. The chip offers a compact and efficient solution for driving high-current loads, providing improved performance and reliability.
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Features
The FDS2670 is a power MOSFET transistor with a high current rating of 57A, low on-resistance of 0.03 ohms, and a low gate charge of 22nC. It is designed for high-performance switching applications, offering efficient power delivery and reliable operation. -
Pinout
The FDS2670 is a dual N-channel MOSFET with a small pin count. It typically has 8 pins, including the gate, source, and drain pins for each of its two channels. The function of this device is to switch and control electrical current in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDS2670 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a multinational company that specializes in the design, development, and manufacturing of high-performance semiconductor products. They provide a wide range of solutions for markets including automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications. -
Application Field
The FDS2670 MOSFET can be used in various application areas, including power management, motor control, and switching applications. It is commonly used in portable devices, automotive electronics, and industrial control systems. -
Package
The FDS2670 chip has a package type of Power33, a form of SO-8, and a size of 5.0mm x 4.5mm.
Fiche de données PDF
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