Commandes de plus de
$5000
FDA20N50F
N-Channel 500 V 22A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-3PN
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: ONSEMI
Pièce Fabricant #: FDA20N50F
Fiche de données: FDA20N50F Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-3P-3L
Statut RoHS:
État des stocks: 6 752 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $1,208 | $1,208 |
10 | $1,182 | $11,820 |
30 | $1,165 | $34,950 |
100 | $1,148 | $114,800 |
En stock: 6 752 PC
FDA20N50F Description générale
The FDA20N50F is an innovative UniFET™ MOSFET designed for high voltage applications. Its advanced planar stripe and DMOS technology not only reduces on-state resistance but also enhances switching performance and avalanche energy strength. In comparison to traditional planar MOSFETs, the UniFET FRFET® MOSFET boasts significantly improved reverse recovery performance with a t_rr of less than 100nsec and a reverse dv/dt immunity of 15V/ns. This enhanced body diode performance eliminates the need for additional components, ultimately enhancing system reliability in critical applications where the MOSFET's body diode plays a crucial role
Caractéristiques
- Wide operating temperature range (-40°C to 150°C)
- Low input current ( Typ. 1mA)
- Excellent surge withstand capability
Application
- Versatile and durable product
- Excellent for multiple uses
- Ideal for a wide range of applications
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Source Content uid | FDA20N50F | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
Package Description | TO-3PN, 3 PIN | Manufacturer Package Code | 340BZ |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 50 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1110 mJ | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 500 V | Drain Current-Max (ID) | 22 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.26 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 388 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 88 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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