Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

FDA24N50 48HRS

N-Channel 500 V 24A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-3PN

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: onsemi

Pièce Fabricant #: FDA24N50

Fiche de données: FDA24N50 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-3P-3L

Statut RoHS:

État des stocks: 5 596 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $39,849 $39,849
10 $39,153 $391,530
30 $38,730 $1161,900
100 $38,374 $3837,400

En stock: 5 596 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour FDA24N50 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

FDA24N50 Description générale

With the FDA24N50 UniFET TM MOSFET, you can expect nothing short of top-notch performance and efficiency. Thanks to its innovative planar stripe and DMOS technology, this high voltage MOSFET is optimized for minimal on-state resistance, ensuring seamless switching and robust avalanche energy strength. Whether you're working on power factor correction (PFC) systems, flat panel display (FPD) TV power, ATX supplies, or electronic lamp ballasts, this versatile device family is sure to exceed your expectations

Caractéristiques

  • FDA approved
  • CE marked
  • RoHS compliant
  • Silicon material used
  • Dissipation capacity high
  • Long lifespan guaranteed

Application

  • Perfect for a variety of uses.
  • Versatile product for all needs.
  • Great for any project you have.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer onsemi Product Category MOSFET
RoHS Details REACH Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-3PN-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Id - Continuous Drain Current 24 A Rds On - Drain-Source Resistance 190 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 85 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 270 W
Channel Mode Enhancement Tradename UniFET
Series FDA24N50 Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 86 ns
Height 20.1 mm Length 16.2 mm
Product Type MOSFET Rise Time 108 ns
Factory Pack Quantity 450 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 164 ns
Typical Turn-On Delay Time 47 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.162260 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...