Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

FDA28N50F

Tube-packaged N-channel 500V 28A MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: FDA28N50F

Fiche de données: FDA28N50F Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-3PN-3

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 6 354 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour FDA28N50F ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

FDA28N50F Description générale

The FDA28N50F is part of the UniFET MOSFET family, known for its high voltage capabilities and use of planar stripe and DMOS technology. This particular MOSFET is designed to minimize on-state resistance, enhance switching performance, and increase avalanche energy strength. One of the standout features of the UniFET FRFET MOSFET is its improved body diode reverse recovery performance, with a trr of less than 100nsec and a reverse dv/dt immunity of 15V/ns. In comparison, traditional planar MOSFETs typically have higher trr values and lower reverse dv/dt immunity

Caractéristiques

  • High reliability guaranteed
  • Safe and efficient operation
  • Compact and lightweight design
  • Rapid recovery time ensured
  • Easily integrated with other devices
  • Low power consumption typical

Application

  • Adaptable for all needs
  • Dependable in every usage
  • Functional in various scenarios

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-3PN-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Id - Continuous Drain Current 28 A
Rds On - Drain-Source Resistance 175 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 105 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 310 W Channel Mode Enhancement
Tradename UniFET Series FDA28N50F
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 101 ns Height 20.1 mm
Length 16.2 mm Product Type MOSFET
Rise Time 137 ns Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 192 ns Typical Turn-On Delay Time 67 ns
Width 5 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDA28N50F chip is a fast-recovery diode designed for high-speed switching applications. It has a low forward voltage drop and fast reverse recovery time, making it suitable for use in power electronics and motor control systems. The chip is compact and efficient, offering reliable performance in demanding environments.
  • Equivalent

    Some equivalent products of FDA28N50F chip are Infineon IPP028N05N3G, STMicroelectronics STL54P3LLH6, and Fairchild FDPF51N25. These chips have similar specifications and functionality to the FDA28N50F chip.
  • Features

    The FDA28N50F is a power N-channel MOSFET with a 28A continuous drain current, 500V maximum voltage rating, and a low on-resistance of 0.17ohm. It is designed for high power applications, such as motor control and power supplies, with a compact and efficient design.
  • Pinout

    FDA28N50F is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin functions are Gate, Drain, and Source, used for controlling the flow of electric current in high-power applications such as power supplies and motor control.
  • Manufacturer

    FDA28N50F is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that produces a wide range of power control and sensor products for various industries including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The FDA28N50F is commonly used in applications such as power supplies, DC-DC converters, motor control, and inverter systems. It is suitable for use in high-frequency switching circuits due to its low on-resistance and fast switching capabilities.
  • Package

    The FDA28N50F chip is a power MOSFET transistor that comes in a TO-3PF package. It has a voltage rating of 500V and a current rating of 28A. The package size is approximately 15.5mm x 19mm x 5mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...