Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000FDB14N30TM
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FDB14N30TM
Fiche de données: FDB14N30TM Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SC-70-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
FDB14N30TM Description générale
When it comes to high voltage MOSFETs, the UniFETTM series stands out as a reliable and efficient choice. With its focus on delivering superior performance and energy strength, it is a go-to option for professionals in the field. Whether you're working on power converter applications or electronic lamp ballasts, the UniFETTM MOSFET is a dependable solution for your needs
Caractéristiques
- RDS(on) = 120mΩ (Max.)@ VGS = 10V, ID = 2A
- Fast switching speed (Typ. 100ns)
- High current handling capability
- RoHS compliant and Halogen-free
Application
- Great for multiple tasks
- Flexible and adaptable
- Works well in any situation
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | FDB14N30 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 75 ns | Forward Transconductance - Min: | 10.5 S |
| Height: | 4.83 mm | Length: | 10.67 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 105 ns |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Width: | 9.65 mm |
| Unit Weight: | 0.139332 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The FDB14N30TM is a high-performance N-channel MOSFET chip designed for various power applications. It offers low on-resistance, high current capability, and efficient switching characteristics. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
-
Equivalent
The equivalents of FDB14N30TM chip are Infineon IPP14N03LA, Fairchild FDP14N30, and Vishay SIHF14N30G. These chips are similar in specifications and are compatible as replacements. -
Features
The FDB14N30TM is a 300V, 14A N-channel MOSFET with low on-resistance and high current capability suitable for power management applications. It features a TO-263-2 package with a low thermal resistance, enabling efficient heat dissipation. Its high drain-source voltage and rugged design make it ideal for industrial and automotive applications. -
Pinout
The pin count of FDB14N30TM is 3 pins and it is a N-channel MOSFET transistor. Its function is to switch and amplify electronic signals in electronic circuits, especially in power management applications. -
Manufacturer
FDB14N30TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, a leading company in the design and production of power management semiconductors. Fairchild Semiconductor develops and manufactures a wide range of products for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. Their products are known for their high quality, reliability, and efficiency. -
Application Field
The FDB14N30TM is commonly used in high efficiency lighting applications, power supplies, low voltage motor control, and automotive systems. Its high current rating, low on-resistance, and fast switching speed make it ideal for these applications where efficient power management is crucial. -
Package
The FDB14N30TM chip is a Power MOSFET transistor packaged in TO-263 form with a size of 10.4mm x 24.4mm and a thickness of 4.6mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
