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FDD1600N10ALZ
MOSFET PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FDD1600N10ALZ
Fiche de données: FDD1600N10ALZ Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,557 | $0,557 |
| 10 | $0,464 | $4,640 |
| 30 | $0,417 | $12,510 |
| 100 | $0,371 | $37,100 |
| 500 | $0,343 | $171,500 |
| 1000 | $0,329 | $329,000 |
En stock: 9 458 PC
FDD1600N10ALZ Description générale
The FDD1600N10ALZ N-Channel MOSFET is a cutting-edge component designed for high-performance applications. Utilizing the PowerTrench® process, this transistor boasts minimal on-state resistance, ensuring efficient power management in diverse electronic systems. Its superior switching capabilities guarantee smooth operation, making it a versatile choice for demanding projects
Caractéristiques
- High Surge Immunity
- Low Capacitance
- High Frequency Capability
- Low Inductance
- Compact Design
- Improved Reliability
Application
- High Quality Sound System
- Smart Home Technology
- Advanced Cooking Features
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | DPAK-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 6.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 175 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V | Qg - Gate Charge: | 3.61 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 14.9 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | PowerTrench | Series: | FDD1600N10ALZ |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 34 S | Height: | 2.39 mm |
| Length: | 6.73 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 14 ns | Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Width: | 6.22 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDD1600N10ALZ is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters. With a low on-resistance and high current capability, this 100V N-channel device can efficiently handle high-power loads while maintaining low power dissipation. Its compact design and high reliability make it ideal for a wide range of industrial and consumer electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of FDD1600N10ALZ chip are FDD1600N10ALZT4, FDD1600N10ALZET4, and FDD1600N10ALZAF. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable alternatives for the FDD1600N10ALZ chip. -
Features
- N-channel MOSFET - 100V drain-source voltage - 160A drain current - Low RDS(ON) for high efficiency - High power density - TO-3P package - Suitable for high power applications such as motor control, inverters, and power supplies -
Pinout
The FDD1600N10ALZ is a 100V N-Channel PowerTrench MOSFET with a TO-252 package. It has 3 pins, the gate (G), drain (D), and source (S). The function of this MOSFET is to control the flow of electrical current between the drain and source terminals. -
Manufacturer
Fairchild Semiconductor is the manufacturer of the FDD1600N10ALZ. It is a leading global supplier of power and signal management, logic, discrete, and custom semiconductor solutions. Fairchild Semiconductor specializes in the development of innovative products and technologies for a wide range of applications in the automotive, communications, consumer electronics, networking, and power supply markets. -
Application Field
The FDD1600N10ALZ is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor controls, and lighting ballasts. It is ideal for use in high power switching applications due to its high current and voltage ratings, fast switching speeds, and low on-resistance. -
Package
The FDD1600N10ALZ chip comes in a TO-252 package type, with a surface-mount form. Its size is 6.5mm x 8.7mm, with a thickness of 2.3mm.
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