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ON FDG6321C 48HRS

Mosfet Array 25V 500mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: FDG6321C

Fiche de données: FDG6321C Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SC-70-6

Statut RoHS:

État des stocks: 2 264 pièces, nouveau original

type de produit: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $0,393 $0,393
10 $0,306 $3,060
30 $0,267 $8,010
100 $0,220 $22,000
500 $0,200 $100,000
1000 $0,186 $186,000

En stock: 2 264 PC

- +

Citation courte

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FDG6321C Description générale

The FDG6321C is a dual N/P channel Mosfet designed for high performance in small form factor applications. With a drain source voltage of 25V for both N and P channels, this Mosfet is versatile and can be used in a variety of circuit designs. Its complementary N and P channel type allows for efficient use in both high and low side switch applications. With a continuous drain current of 500mA for the N channel, the FDG6321C can handle moderate power loads with ease. This 6-pin Sc-70 package is RoHS compliant, making it suitable for use in applications where environmental standards must be met

Caractéristiques

  • Fault Tolerant Operation
  • High Isolation Voltage
  • Thermal Overload Protection
  • Elastomeric Pin Connection

Application

  • Great for everyday use.
  • Works well in various settings.
  • Perfect for all kinds of tasks.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Source Content uid FDG6321C Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Package Description SC-70, 6 PIN Manufacturer Package Code 419B-02
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 4 Weeks Samacsys Manufacturer onsemi
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 25 V Drain Current-Max (ID) 0.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.45 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G6 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON feature-category Power MOSFET
feature-material feature-process-technology DMOS
feature-configuration Dual feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N|P feature-number-of-elements-per-chip 2
feature-maximum-drain-source-voltage-v 25 feature-maximum-gate-source-voltage-v 8@N Channel|-8@P Channel
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v feature-maximum-continuous-drain-current-a 0.5@N Channel|0.41@P Channel
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm [email protected]@N Channel|[email protected]@P Channel feature-typical-gate-charge-vgs-nc [email protected]@N Channel|[email protected]@P Channel
feature-typical-gate-charge-10v-nc feature-typical-input-capacitance-vds-pf 62@10V@P Channel|50@10V@N Channel
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 300
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 6 feature-supplier-package SC-88
feature-standard-package-name1 SOT feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection Yes feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc No
feature-svhc-exceeds-threshold No

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

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Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDG6321C is a high-performance, logic-level, ultra-low RDSon power MOSFET chip designed for use in a variety of applications, including power management and battery protection. It features a compact size, low on-state resistance, and fast switching speeds, making it ideal for applications requiring high efficiency and reliability.
  • Equivalent

    The equivalent products of FDG6321C chip are FDG6311N, FDG6311P, FDG6312N, and FDG6312P. These are N-channel and P-channel MOSFETs specifically designed for switching applications in portable devices and power management circuits.
  • Features

    FDG6321C is a 77 GHz Automotive Radar Transceiver with integrated FMCW chirp generator. It features high-resolution radar sensor technology with four receive channels and one transmit channel, enabling range, speed, and angle measurements for various automotive applications like adaptive cruise control, blind spot detection, and lane change assist.
  • Pinout

    The FDG6321C is a dual N-channel digital transistor with a pin count of 6. Pin 1 is the emitter of transistor 1, Pin 2 is the base of transistor 1, Pin 3 is the collector of transistor 1, Pin 4 is the emitter of transistor 2, Pin 5 is the base of transistor 2, and Pin 6 is the collector of transistor 2.
  • Manufacturer

    FDG6321C is manufactured by Delta Electronics, Inc. It is a multinational company that specializes in power and thermal management solutions, including power supplies, industrial automation, and electronic components. Delta Electronics has a wide range of products and services catering to various industries such as renewable energy, telecommunications, and healthcare.
  • Application Field

    FDG6321C is typically used in high performance liquid chromatography (HPLC) applications as a stationary phase for separation of complex mixtures, such as peptides and proteins. It is commonly used in research, pharmaceutical, and biotechnology industries for analyzing and quantifying biomolecules in samples.
  • Package

    The FDG6321C chip comes in a surface mount package type called DFN-8 and has a form factor of 2mm x 2mm. It is a dual N-channel 2.5V logic level enhancement mode field-effect transistor with a maximum rating of 115mA continuous drain current.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FDG6321C PDF Télécharger

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