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$5000ON FDMB2308PZ
Mosfet Array 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FDMB2308PZ
Fiche de données: FDMB2308PZ Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: MLP-8
type de produit: FET, MOSFET Arrays
Statut RoHS:
État des stocks: 3 242 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDMB2308PZ Description générale
The FDMB2308PZ is a high-tech solution for Li-Ion battery pack protection circuit and ultra-portable applications. With two common drain P-channel MOSFETs, it allows bidirectional current flow and is built on Fairchild’s PowerTrench® process with a state-of-the-art MircoFET Leadframe. This design minimizes both PCB space and rS1S2(on), making it an efficient and compact option for battery protection
Caractéristiques
- High-speed switching up to 200 kHz
- Low gate-to-source voltage threshold
- RoHS compliant for environmental safety
- Maximum operating temperature of 150°C
- Dual N-channel device with high input impedance
- Built-in diode ensures smooth turn-off
Application
- Cameras
- External Hard Drives
- Wireless Earbuds
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | MicroFET-6 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 36 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV | Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 2.2 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | PowerTrench | Series: | FDMB2308PZ |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Dual | Fall Time: | 58 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 29 S | Height: | 0.75 mm |
| Length: | 3 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 33 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 74 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Width: | 2 mm | Unit Weight: | 0.001411 oz |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | TMOS | feature-configuration | Dual |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
| feature-number-of-elements-per-chip | 2 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 20 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±12 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 1.5 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 7 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | [email protected] |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | [email protected] | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 2280 | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 2200 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 6 | |
| feature-supplier-package | WDFN EP | feature-standard-package-name1 | DFN |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | No |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Emballage
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