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ON FDP083N15A-F102
N-Channel 150 V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FDP083N15A-F102
Fiche de données: FDP083N15A-F102 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-220-3
Statut RoHS:
État des stocks: 2 180 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $3,220 | $3,220 |
| 10 | $2,855 | $28,550 |
| 50 | $2,638 | $131,900 |
| 100 | $2,420 | $242,000 |
| 500 | $2,319 | $1159,500 |
| 800 | $2,273 | $1818,400 |
En stock: 2 180 PC
FDP083N15A-F102 Description générale
The FDP083N15A_F102 N-Channel MOSFET stands out thanks to its use of the innovative PowerTrench® process, which is specifically optimized to minimize on-state resistance and enhance switching performance. This results in a highly efficient and reliable MOSFET that is well-suited for a variety of industrial and power electronic applications. With its superior performance and robust design, the FDP083N15A_F102 is an excellent choice for demanding environments where efficiency and reliability are paramount
Caractéristiques
- Compact package design with high current handling
- Low input capacitance for minimized ringing effect
- Wide operating temperature range from -40°C to 125°C
- Excellent thermal management and low noise generation
Application
- Low on-state resistance MOSFET
- Suitable for solar inverters
- Great for high power systems
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Status | Active | CAD Models | |
| Compliance | PbAHP | Package Type | TO-220-3 |
| Case Outline | 221A | MSL Type | NA |
| MSL Temp (°C) | 0 | Container Type | TUBE |
| Container Qty. | 800 | ON Target | Y |
| Channel Polarity | N-Channel | Configuration | Single |
| V(BR)DSS Min (V) | 150 | VGS Max (V) | ±20 |
| VGS(th) Max (V) | 4 | ID Max (A) | 117 |
| PD Max (W) | 294 | RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | - |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | - | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 8.3 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | - | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 64.5 |
| Ciss Typ (pF) | 4645 | Pricing ($/Unit) | $2.0821Sample |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | Si |
| feature-process-technology | TMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 150 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 117 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 8.3@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 64.5@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 64.5 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 4645@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 294000 | feature-packaging | Tube |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | TO-220 | feature-standard-package-name1 | TO |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDP083N15A-F102 chip is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications. It features a low on-resistance and fast switching characteristics, allowing for efficient power management. With its advanced design and technology, this chip is suitable for various industrial and automotive applications, such as motor drives, DC-DC converters, and electronic power steering systems.
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Equivalent
The equivalent products of the FDP083N15A-F102 chip are FDP8636 and FDP2596. -
Features
The FDP083N15A-F102 is a power MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 150V, a continuous drain current of 80A, and a low on-resistance of 0.0083 ohms. It is designed for high-power applications and offers low conduction and switching losses, making it efficient in various industrial and consumer electronic circuits. -
Pinout
The FDP083N15A-F102 is a power MOSFET with a pin count of 3. Its primary function is to control the flow of electrical current. It is commonly used in power supply circuits, motor control, and other applications that require efficient power management. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDP083N15A-F102 is Fairchild Semiconductor. It is an American company that specializes in the development, manufacturing, and marketing of power and signal management, logic, discrete, and custom semiconductor solutions for a variety of applications in diverse industries such as automotive, computing, consumer electronics, and industrial. -
Application Field
The FDP083N15A-F102 is a power MOSFET transistor, which can be used in various applications requiring high power switching and amplification, such as motor control, power supplies, electric vehicles, and solar inverters. -
Package
The FDP083N15A-F102 chip is a power MOSFET. It comes in a TO-220 package, which is a through-hole package type. The overall size of the chip in this package is approximately 10.4 mm x 16.5 mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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