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ON FDPC8016S

Mosfet Array 25V 20A, 35A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: FDPC8016S

Fiche de données: FDPC8016S Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: 8PWRCLIP

type de produit: FET, MOSFET Arrays

Statut RoHS:

État des stocks: 2 280 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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FDPC8016S Description générale

This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFETTM (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

Caractéristiques

  • Q1 N-Channel
    Max. RDS(on) = 3.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 20 A
    Max. RDS(on) = 4.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 18 A
  • Q2 N-Channel
    Max. RDS(on) = 1.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 35 A
    Max. RDS(on) = 1.7 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 32 A
  • Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
  • MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
  • RoHS Compliant

Application

  • Computing
  • Communications
  • General Purpose Point of Load

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: Power-56-8
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V Id - Continuous Drain Current: 60 A, 100 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.5 mOhms, 3.9 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.3 V, 1.5 V Qg - Gate Charge: 25 nC, 67 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 21 W, 42 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: PowerTrench SyncFET Power Clip Series: FDPC8016S
Packaging: MouseReel Brand: onsemi / Fairchild
Configuration: Dual Fall Time: 2 ns, 3 ns
Forward Transconductance - Min: 182 S, 241 S Height: 1.1 mm
Length: 6 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 2 ns, 4 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 24 ns, 38 ns Typical Turn-On Delay Time: 8 ns, 13 ns
Width: 5 mm Unit Weight: 0.007327 oz
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology TrenchFET feature-configuration Dual
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type N
feature-number-of-elements-per-chip 2 feature-maximum-drain-source-voltage-v 25
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±12 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 2.5
feature-maximum-continuous-drain-current-a 35@Q 2|20@Q 1 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 1.4@10V@Q 2|3.8@10V@Q 1
feature-typical-gate-charge-vgs-nc [email protected]@Q 2|67@10V|[email protected]@Q 1|25@10V feature-typical-gate-charge-10v-nc 67@Q 2|25@Q 1
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 4715@13V@Q 2|1695@13V@Q 1 feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 2300@Q 2|2100@Q 1 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 8
feature-supplier-package PQFN EP feature-standard-package-name1 QFN
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDPC8016S chip is a high-speed power MOSFET driver designed for use in applications such as motor drives, power supplies, and inverters. It provides high current output capability, fast switching speeds, and low power dissipation. The chip's compact size and low cost make it suitable for a wide range of power electronics applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FDPC8016S chip are the IRF8915PbF, IRF8915TRPbF, and SiHF8915PbF chips.
  • Features

    The FDPC8016S is a high-performance N-Channel MOSFET with an ultra-low on-resistance of 5.2mΩ. It is designed for applications requiring high power dissipation, such as power supplies, inverters, and motor control. It also offers excellent switching characteristics, low gate charge, low gate threshold voltage, and robust avalanche rating for reliable and efficient operation.
  • Pinout

    The FDPC8016S is a power MOSFET device. It has a pin count of 8. The specific functions of each pin are as follows: Pin 1 (Drain), Pin 2 (Drain), Pin 3 (Source), Pin 4 (Gate), Pin 5 (Gate), Pin 6 (Source), Pin 7 (Drain), and Pin 8 (Drain).
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDPC8016S is Fairchild Semiconductor International. Fairchild Semiconductor is a global company that specializes in power management and semiconductor solutions. They design, manufacture, and sell a wide range of products used in various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications.
  • Application Field

    The FDPC8016S is a power MOSFET transistor that is commonly used in applications that require high power switching, such as power supplies, motor control, and automotive applications. It offers low ON-state resistance and fast switching speed, making it suitable for high-efficiency and high-frequency applications.
  • Package

    The FDPC8016S chip is available in a power integrated module (PIM) package type. It has a six-pin form and a fairly compact size suitable for power electronic applications.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FDPC8016S PDF Télécharger

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