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NXP MRFE6VP6300HR5
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V, CFM4F, RoHS
Marques: Nxp
Pièce Fabricant #: MRFE6VP6300HR5
Fiche de données: MRFE6VP6300HR5 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT1827-1
type de produit: RF MOSFET Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureMRFE6VP6300HR5 Description générale
RF POWER FET, N CH, 125V, NI-780-4; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:125V; Continuous Drain Current Id:100mA; Power Dissipation Pd:300W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:600MHz; No. of Pins:4;RoHS Compliant: Yes
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| isExSample | true | orderingCode | 935317343178 |
| isDistributor | true | salesNum | MRFE6VP6300HR5 |
| leadTime | 12 | pack_type | REEL |
| exclusiveItemType | ITEM_TYPE_SAMPLE | price_flg | N |
| pack_desc | Reel 13" Q2/T3 in SmallPack | minPackQty | 50 |
| status | Not Recommended for New Designs |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MRFE6VP6300HR5 is a high-power RF transistor chip designed for industrial and commercial applications. It features high efficiency and power gain, making it ideal for use in radio frequency power amplifiers. With a frequency range of 1.8 to 600 MHz, this chip offers reliable performance across a wide range of applications.
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Equivalent
The equivalent products of the MRFE6VP6300HR5 chip are the Toshiba 2SC2879, the SD1446, and the HG(Huagao) 2SC2879. These are all high-power RF transistors commonly used in linear amplifiers and radio frequency applications. -
Features
1. Frequency range: 1.8 - 470 MHz 2. Output power: 300 W 3. Efficiency: >60% 4. High ruggedness and reliability 5. Suitable for linear applications in RF power amplifiers 6. High gain and linearity for improved performance in various applications. -
Pinout
The MRFE6VP6300HR5 is a 50V RF power transistor with a 76-pin flange package. It is commonly used in industrial applications, including radio and radar systems. The pin count and function are as follows: the gate is pin 3, the drain is pin 2, and the source is pin 4. -
Manufacturer
MRFE6VP6300HR5 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch multinational semiconductor manufacturer. NXP is a leading provider of high-performance mixed signal and standard product solutions for a wide range of industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The MRFE6VP6300HR5 is commonly used in high-power applications such as broadcasting, industrial heating, medical equipment, and RF plasma sources. It is particularly suitable for RF energy applications requiring high output power, efficiency, and reliability in the HF and VHF frequency ranges. -
Package
The MRFE6VP6300HR5 chip package type is NI-1230H-4, the form is SMD/SMT, and the size is 1.075 mm x 1.007 mm x 0.051 mm.
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