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NXP MRFE6P3300HR3
Trans RF FET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R
Marques: NXP
Pièce Fabricant #: MRFE6P3300HR3
Fiche de données: MRFE6P3300HR3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: NI-860C3
type de produit: RF MOSFET Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureMRFE6P3300HR3 Description générale
RF Mosfet 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Technology: | Si | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 66 V |
| Minimum Operating Temperature: | - 65 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | NI-860C3 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement | Configuration: | Single Dual Drain Dual Gate |
| Height: | 5.69 mm | Length: | 34.16 mm |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | MRFE6P3300H |
| Factory Pack Quantity: | 250 | Subcategory: | MOSFETs |
| Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 500 mV, 12 V |
| Width: | 10.31 mm | Part # Aliases: | 935309635128 |
| Unit Weight: | 0.223087 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Points de pièce
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The MRFE6P3300HR3 is a high-power RF power transistor designed for use in industrial, scientific, and medical (ISM) applications. It operates at 3300 MHz with a power output of up to 300W and features high efficiency and reliability. This chip is commonly used in RF heating, plasma processing, and high-power amplifiers.
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Equivalent
The equivalent products of the MRFE6P3300HR3 chip are the MRF6VP3300H and the MRF6VP3300HR6, which are also LDMOS transistors designed for high-power applications in the 1.8-600 MHz frequency range. These chips have similar specifications and performance characteristics to the MRFE6P3300HR3. -
Features
The MRFE6P3300HR3 is a high-power RF transistor designed for 300W pulsed applications in frequencies up to 3300 MHz. It features superior ruggedness, high gain, and low distortion, making it ideal for use in high-power RF applications such as radar systems and communication equipment. -
Pinout
The MRFE6P3300HR3 is a High Power RF LDMOS transistor with a pin count of 4. It has the following functions: Pin 1: Gate, Pin 2: Drain, Pin 3: Source, Pin 4: Source. It is designed for high power applications in the HF, VHF, and UHF frequencies. -
Manufacturer
The MRFE6P3300HR3 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer specializing in a wide range of products for the automotive, industrial, mobile, and communication sectors. NXP Semiconductors is known for producing high-performance RF power transistors, including the MRFE6P3300HR3 for RF applications. -
Application Field
The MRFE6P3300HR3 is primarily used in high-power RF amplifier applications, such as in telecommunications, radar systems, and industrial heating processes. It is commonly found in high-frequency and high-power amplification systems that require efficient and reliable performance. -
Package
The MRFE6P3300HR3 chip is a RF power transistor packaged in a NI-1230H-4S form with 4 leads. It has a size of 10.7 x 14.2 x 3.92 mm.
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