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NXP MRF281ZR1

RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: NXP

Pièce Fabricant #: MRF281ZR1

Fiche de données: MRF281ZR1 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: NI-200Z-3

type de produit: RF MOSFET Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 9458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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MRF281ZR1 Description générale

RF Mosfet 26 V 25 mA 1.93GHz 12.5dB 4W NI-200Z

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: NXP Product Category: RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Operating Frequency: 1 GHz to 2.5 GHz
Gain: 11 dB Output Power: 4 W
Minimum Operating Temperature: - 65 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: NI-200Z-3
Packaging: Reel Brand: NXP Semiconductors
Channel Mode: Enhancement Configuration: Single
Height: 2.95 mm Length: 5.16 mm
Pd - Power Dissipation: 20 W Product Type: RF MOSFET Transistors
Subcategory: MOSFETs Type: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Width: 4.14 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The MRF281ZR1 is a RF power amplifier chip developed by NXP Semiconductors. It operates in the frequency range of 2110 to 2170 MHz and is primarily used in wireless communications applications, such as cellular base stations. The chip provides high output power, high linearity, and efficient operation, making it suitable for 3G and 4G LTE networks.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the MRF281ZR1 chip include the MRF281SR1, MRF282Z, and MRF282XR1. These chips are all RF power transistors designed for high-performance applications.
  • Features

    The MRF281ZR1 is a high power RF transistor developed by NXP Semiconductors. It is designed for use in mobile radio applications in the 136-174 MHz frequency range. The key features of this transistor include high power output, excellent linearity, and efficiency, making it suitable for demanding communication requirements.
  • Pinout

    The MRF281ZR1 is a single-ended RF power amplifier transistor with a pin count of 3. The pins are labeled Collector (C), Base (B), and Emitter (E). The collector is connected to the positive voltage supply, the base receives the input signal, and the emitter is grounded.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MRF281ZR1 is Motorola Solutions, Inc. It is an American company that specializes in communication technology and services.
  • Application Field

    The MRF281ZR1 is a high-frequency silicon bipolar RF power transistor designed for applications in the VHF frequency range. It is commonly used in TV broadcasting, VHF transmitters, and RF heating systems. Its high power and frequency capabilities make it suitable for use in various communication and industrial applications.
  • Package

    The MRF281ZR1 chip has a package type of SOT-223, a form of surface mount, and a size of around 6.7 mm x 6.7 mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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