Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Commandes de plus de

$5000
bénéficient $50 d'une remise !

FDV305N 48HRS

This 20V N-Channel MOSFET uses a high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: FDV305N

Fiche de données: FDV305N Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT-23-3

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
5 $0,165 $0,825
50 $0,118 $5,900
150 $0,097 $14,550
500 $0,072 $36,000
3000 $0,061 $183,000
6000 $0,054 $324,000

En stock: 9 458 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour FDV305N ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

FDV305N Description générale

This 20V N-Channel MOSFET uses a high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.

Caractéristiques

  • 1.5 A, 40 V
  • RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 3.2 V
  • High-side driver
  • Fast rise and fall times
  • Low power consumption
  • Compliant with ISO 26262 standards

Application

  • Reliable performance
  • Advanced features
  • Smart technology

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 900 mA Rds On - Drain-Source Resistance 164 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 600 mV
Qg - Gate Charge 1.5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 350 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDV305N Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 7 ns
Forward Transconductance - Min 3 S Height 1.2 mm
Length 2.9 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 7 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 8 ns Typical Turn-On Delay Time 4.5 ns
Width 1.3 mm Part # Aliases FDV305N_NL
Unit Weight 0.000282 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDV305N is a high-speed N-channel MOSFET transistor designed for use in switching applications in power management circuits. It has a low threshold voltage and high speed switching capabilities, making it ideal for use in various power electronic applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of FDV305N chip are FDP025N06B, STP55NE06, IPD50N06S4-08, and IRF540NSTRLPBF.
  • Features

    1. N-channel MOSFET with low on-resistance 2. High current handling capability of 75A 3. Low gate charge for efficient switching 4. Wide voltage range: 30V 5. Suitable for a variety of applications including power management and motor control
  • Pinout

    FDV305N is a N-channel MOSFET with a pin count of 3. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. Its main function is to control the flow of current between the Drain and Source pins by applying a voltage to the Gate pin.
  • Manufacturer

    FDV305N is manufactured by Toshiba Semiconductor. Toshiba Semiconductor is a Japanese multinational semiconductor and electronics company. They specialize in the development and manufacturing of a wide range of electronic components, including integrated circuits, memory devices, and power transistors. Toshiba Semiconductor is known for its high-quality and innovative products in the electronics industry.
  • Application Field

    Some application areas of FDV305N include industrial process control, medical equipment, automotive systems, renewable energy systems, and consumer electronics. The high efficiency and fast switching characteristics of FDV305N make it suitable for various power management applications requiring low power dissipation and compact design.
  • Package

    The FDV305N chip comes in an SOT-23 package, with a surface mount form. The size of the chip is 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm, making it compact and suitable for use in various electronic devices.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...