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$5000
FGB40N60SM
600V, 40A IGBT Transistors with Field Stop Planar Design - GEN2
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FGB40N60SM
Fiche de données: FGB40N60SM Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SC-70-3
Statut RoHS:
État des stocks: 8 514 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $4,988 | $4,988 |
10 | $4,885 | $48,850 |
30 | $4,817 | $144,510 |
100 | $4,747 | $474,700 |
En stock: 8 514 PC
FGB40N60SM Description générale
The FGB40N60SM is an advanced IGBT model that utilizes the latest field stop technology from ON Semiconductor. This second generation IGBT is specifically designed to deliver exceptional performance in applications such as welders and power factor correction (PFC) systems where minimizing conduction and switching losses is crucial. With its innovative design and cutting-edge technology, the FGB40N60SM offers unparalleled efficiency and reliability
Caractéristiques
- Small form factor
- Easy to handle
- Low power consumption
- Fast response time
- High reliability expected
Application
- Renewable Energy
- Water Treatment
- Industrial Automation
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | SC-70-3 |
Mounting Style | SMD/SMT | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 80 A |
Pd - Power Dissipation | 349 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | FGB40N60SM |
Brand | onsemi / Fairchild | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 400 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 800 |
Subcategory | IGBTs |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FGB40N60SM is a high-voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for power switching applications. It offers low switching losses and high reliability, suitable for industrial and consumer electronics requiring efficient power control.
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Equivalent
The equivalent products of the FGB40N60SM chip are the Fairchild Semiconductor FGP40N60SMD, ON Semiconductor NGTB40N60S2WG, and Infineon Technologies FGP40N60SMD. These are all IGBT power transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. 600V, 40A, SMPS series IGBT 2. High speed switching capability 3. Low VCE(on) and switching losses 4. Positive temperature coefficient 5. High input impedance 6. Low gate charge 7. Avalanche rated 8. Square RBSOA -
Pinout
The FGB40N60SM has 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain. The function of the FGB40N60SM is to control the flow of current between the source and drain by applying a voltage at the gate. This is typically used in power electronic applications such as motor control and power supplies. -
Manufacturer
The FGB40N60SM is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is a semiconductor manufacturing company. Fairchild Semiconductor produces a wide range of electronic components and integrated circuits for various industries including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The FGB40N60SM is a Silicon Carbide IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for use in high-efficiency power electronics applications such as motor drives, renewable energy systems, and UPS (Uninterruptible Power Supplies). It is also suitable for use in industrial and automotive systems requiring high power switching capabilities. -
Package
The FGB40N60SM is a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip with a TO-3P package. It comes in a single form and size, typically measuring 10.41mm x 15.55mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits