Commandes de plus de
$5000FGH75T65SQDNL4
IGBT with Field Stop IV/4 Lead
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FGH75T65SQDNL4
Fiche de données: FGH75T65SQDNL4 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-4
type de produit: Single IGBTs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FGH75T65SQDNL4 Description générale
When it comes to high-performance switching applications, the FGH75T65SQDNL4 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) stands out as a top contender. Built with a robust Field Stop IV Trench construction, this IGBT delivers exceptional performance combined with cost-effectiveness. Its TO−247−4L packaging offers a significant reduction in Eon Losses compared to standard packaging, making it a compelling choice for efficiency-conscious consumers. Ideal for UPS and solar applications, this IGBT also features a co-packaged freewheeling diode with a low forward voltage, further enhancing its appeal
Caractéristiques
- Enhanced Thermal Performance
- Silicon-Based Design Simplified
- Increased Power Density Guaranteed
- Faster Switching Times Achieved
- Laser-Welded Terminals Improved
- Pulse-Width Modulation Optimized
Application
- Eco-Friendly Solar Solutions
- Backup Power Assurance
- Revolutionary Inverter Design
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-247-4 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.43 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 200 A |
Pd - Power Dissipation | 375 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | FGH75T65SQDNL4 |
Brand | onsemi | Continuous Collector Current Ic Max | 200 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 250 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
Unit Weight | 0.248576 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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