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$5000
FGL60N100BNTD
1000V, 60A, NPT Trench IGBT
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FGL60N100BNTD
Fiche de données: FGL60N100BNTD Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-264-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $20,803 | $20,803 |
10 | $20,008 | $200,080 |
30 | $18,631 | $558,930 |
100 | $17,430 | $1743,000 |
En stock: 9 458 PC
FGL60N100BNTD Description générale
The FGL60N100BNTD is a top-of-the-line trench insulated gate bipolar transistor (IGBT) with NPT technology, designed to deliver exceptional performance in terms of conduction and switching characteristics, as well as enhanced avalanche ruggedness. Its high speed switching capability and low saturation voltage of VCE(sat) = 2.5V @ IC = 60A make it ideal for a wide range of applications, particularly in Induction Heating (I-H) systems. With its high input impedance and built-in fast recovery diode, this IGBT ensures reliable and efficient operation, making it a valuable component for any project
Caractéristiques
- Fast Turn-On Time
- Low Input Current
- Safe Operating Area
- Soft Switching Operation
- High Efficiency Operation
- Overcurrent Protection Circuit
Application
- Cost-effective solution
- Versatile application
- Effortless maintenance
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-264-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 25 V, + 25 V | Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
Pd - Power Dissipation | 180 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | FGL60N100BNTD |
Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current | 60 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 60 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 500 nA |
Height | 26 mm | Length | 20 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 375 |
Subcategory | IGBTs | Width | 5 mm |
Part # Aliases | FGL60N100BNTD_NL |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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