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FJN3305RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: FJN3305RTA
Fiche de données: FJN3305RTA Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-92
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $0,033 | $0,033 |
200 | $0,013 | $2,600 |
500 | $0,013 | $6,500 |
1000 | $0,013 | $13,000 |
En stock: 9 458 PC
FJN3305RTA Description générale
The FJN3305RTA is a high-quality NPN digital transistor that offers a collector-emitter voltage (V(br)ceo) of 50V and a continuous collector current (Ic) of 100mA. Its TO-92 RF transistor case with 3 pins makes it easy to integrate into your designs, and with a base input resistor (R1) of 4.7kohm and a base-emitter resistor (R2) of 10kohm, with a resistor ratio of 0.47, it provides the precise control and stability that your applications demand. Meeting MSL 1 - Unlimited standards for moisture sensitivity and containing no SVHC substances, this transistor is a reliable and environmentally conscious choice for your needs
Caractéristiques
- High-Speed Data Transfer Capability
- Advanced Power Management System
- Low-Power Consumption Technology Enabled
- Error-Free Data Transmission Guarantee
- Multi-Function Interface Design Implemented
- Compact and Lightweight Device Architecture
Application
- Highly functional and durable.
- Suitable for any project.
- Efficient and easy to use.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
RoHS: | Details | Configuration: | Single |
Transistor Polarity: | NPN | Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.47 | Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 Kinked Lead | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | Continuous Collector Current: | 100 mA |
Peak DC Collector Current: | 100 mA | Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Series: | FJN3305R | Packaging: | Ammo Pack |
Brand: | onsemi / Fairchild | DC Current Gain hFE Max: | 30 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V | Height: | 5.33 mm |
Length: | 5.2 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Factory Pack Quantity: | 2000 | Subcategory: | Transistors |
Type: | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Width: | 4.19 mm |
Unit Weight: | 0.008466 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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